「DRAM」修訂間的差異檢視原始碼討論檢視歷史
小 （rollbackEdits.php mass rollback） (1 個標籤：回退) |
|||
| (未顯示由 1 位使用者於中間所作的 1 次修訂) | |||
| 行 1： | 行 1： | ||
| + | {| class="wikitable" align="right" | ||
| + | |||
| + | |- | ||
| + | |||
| + | | style="background: #008080" align= center| '''<big>DRAM</big> ''' | ||
| + | |||
| + | |- | ||
| + | |||
| + | | | ||
| + | [[File:B58f8c5494eef01fdb0e874eeafe9925bc317d27.jpg|缩略图|居中|[https://bkimg.cdn.bcebos.com/pic/b58f8c5494eef01fdb0e874eeafe9925bc317d27?x-bce-process=image/resize,m_lfit,w_268,limit_1/format,f_jpg 原图链接][https://baike.baidu.com/item/%E5%8A%A8%E6%80%81%E9%9A%8F%E6%9C%BA%E5%AD%98%E5%8F%96%E5%AD%98%E5%82%A8%E5%99%A8?fromtitle=DRAM&fromid=149572 来自搜狗的图片]]] | ||
| + | |||
| + | |- | ||
| + | |||
| + | | style="background: #008080" align= center| | ||
| + | |||
| + | |- | ||
| + | |||
| + | | align= light| | ||
| + | |||
| + | |} | ||
| + | '''动态随机存取存储器'''（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。 | ||
| + | =='''简介'''== | ||
| + | 动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的数据会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。 | ||
| + | =='''评价'''== | ||
| + | DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵。基本的操作机制分为读(Read)和写(Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后在把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半，反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。写的时候会把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。随机存取存储器（英语：RandomAccessMemory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外，见下文），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。主存（Main memory）即电脑内部最主要的存储器，用来加载各式各样的程序与数据以供CPU直接运行与运用。由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般电脑主存的最主要部分。2014年生产电脑所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年开始DDR4 SDRAM逐渐普及化，笔电厂商如华硕及宏碁开始在笔电以DDR4[[存储器]]取代DDR3L。 | ||
| + | <ref>[https://baike.baidu.com/reference/757860/1067RJdLe8f5fhzJhp-xGRdyBd178vQgibEDvxIl7PLuvxs6eK4br_Zc6O3Tl79B7utlaR99EClz8PQ-hqS0LK5QhA--zoPqjIji DRAM]搜狗</ref> | ||
| + | =='''参考文献'''== | ||
| + | [[Category:470 製造總論]] | ||
於 2022年8月25日 (四) 09:32 的最新修訂
| DRAM |
動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。
簡介
動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器（RAM）一樣，由於存在DRAM中的數據會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種易失性存儲器（volatile memory）設備。
評價
DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣。基本的操作機制分為讀(Read)和寫(Write)，讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然後在把晶體管打開讓BL和電容產生電荷共享的現象，若內部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高於操作電壓的一半，反之，若內部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低於操作電壓的一半，得到了BL的電壓後，在經過放大器來判別出內部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開，若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷。隨機存取存儲器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外，見下文），而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。主存（Main memory）即電腦內部最主要的存儲器，用來加載各式各樣的程序與數據以供CPU直接運行與運用。由於DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現今一般電腦主存的最主要部分。2014年生產電腦所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。 [1]