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影像標題	transistors different type on a white background
相機製造商	NIKON CORPORATION
相機型號	NIKON D7100
曝光時間	1/160 秒 (0.00625)
光圈值	f/20
ISO 速率	250
資料產生的日期時間	2015年7月18日 (六) 18:51
焦距	60 mm
寬度	4,151 px
高度	2,999 px
每像素位元	16 16 16
壓縮方式	未壓縮
像素合成	RGB
方位	標準
像素數量	3
水平解析度	300 dpi
垂直解析度	300 dpi
資料排列	矮胖格式
使用軟體	Adobe Photoshop CS5 Windows
檔案修改日期時間	2015年7月23日 (四) 21:50
曝光模式	手動
Exif 版本	2.3
數位化的日期時間	2015年7月18日 (六) 18:51
APEX 快門速度	7.321928
APEX 光圈	8.643856
APEX 曝光補償	0
最大陸地光圈	3.2 APEX (f/3.03)
測光模式	模式
光源	閃光燈
閃光燈	閃光燈未開啟、強制閃光燈關閉
DateTimeOriginal 次秒	90
DateTimeDigitized 次秒	90
色彩空間	顏色未校準
X 軸焦平面解析度	2,558.641204834
Y 軸焦平面解析度	2,558.641204834
焦平面解析度單位	3
感光模式	單晶片彩色區域感測器
檔案來源	數位相機
場景類型	直接照像圖片
自訂影像處理	一般程序
曝光模式	手動曝光
白平衡	手動白平衡
數位變焦比率	1
35 毫米膠片焦距	90 mm
場景拍攝類型	標準
場景控制	無
對比度	標準
飽和度	標準
銳利度	標準
主體距離範圍	不明
相機序號	4360735
使用鏡頭	60.0 mm f/2.8
詮釋資料最後修改日期	2015年7月24日 (五) 00:50
原始文件唯一識別碼	3FA8B8A1852CC8D0BD17E7BD413E7E3C
簡稱	transistors
關鍵字	transistorized power transistor solid p-channel chips gate fet state engineering nanoelectronics voltage pins circuit technology n-channel silicon igbt bjt mosfet electrical research pnp nanotechnology diodes computers solid-state germanium npn solid state electronic jfet device triode amplify component switch semiconductor igfet
IIM 版本	4