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PECVD

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PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等離子體增強化學的氣相沉積法。是生產人造鑽石的一種工藝,這種方法有很多優點,比如顏色等級高,成膜質量好等。

簡介

PECVD:是藉助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).


實驗機理:是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。


評價

優點

基本溫度低;沉積速率快;成膜質量好,針孔較少,不易龜裂。


缺點

1.設備投資大、成本高,對氣體的純度要求高;

2.塗層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害;

3.對小孔孔徑內表面難以塗層等;

4.沉積之後產生的尾氣不易處理。


例子:在PECVD工藝中由於等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作為集成電路最後的鈍化保護層,提高集成電路的可靠性。[1]

參考文獻

  1. PECVD搜狗