''' 纯金属 ''' 是指不含其他杂质或其他 [[ 金属 ]] 成分的金属。 纯金属具有较高的 [[ 导电性 ]] 、 [[ 导热性 ]] 和良好的塑性等优点,但由于其性能的局限性,不能满足各种不同场合的使用要求。
==分类==
依据杂质含量可分为 [[ 工业 ]] 纯金属和超纯金属。在生产实践中,能得到的一些工业纯常用 [[ 有色金属 ]] 的百分纯度为: 锌99[[锌]]99.995,铅99.994, 锡99[[锡]]99.95, 镍99[[镍]]99.99, 铝99[[铝]]99.7等。超纯金属的杂质含量在百万分之几数量级或主金属含量在99. 9999%以上,而超纯 [[ 半导体 ]][[ 材料 ]] 的杂质含量在十亿分之几数量级。[3] 纯度的表示方法 实际使用中,习惯以主金属含量的几个九(N)来表示,如杂质含量一般是指规定的某些 [[ 杂质 ]] 之和为百万分之一,即称为6个 “9”或6N。 广义的杂质是指 [[ 化学 ]] 杂质和 [[ 物理 ]] 杂质(结晶缺陷),后者是指位错及空位等;而化学杂质则是指基体以外的 [[ 原子 ]] 以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高标准时(如纯度9N以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的。 因此,目前 [[ 工业生产 ]] 的金属仍是以化学杂质含量作为标准,其表示方法有两种: 一种是以材料用途来表示,如 “光谱级纯”、“电子级纯”等;另一种是以某种特征来表示,如半导体材料用 [[ 载流子 ]] 浓度,即一立方厘米的基本元素中起 [[ 导电 ]] 作用的杂质数(原子/cm)来表示,而金属则可用残余 [[ 电阻率 ]] (ρ4.2K/ρ300K)来表示,工业纯金属通常以主金属的百分含量来表示。
==发展现状==
我国高超纯金属品种从无到有,数量从少到多, [[ 质量 ]] 从低到高。 目前高超纯金属( [[ 元素 ]] )的品种已达26个,还可生产或试制 [[ 化合物 ]] 、有关 [[ 合金 ]] 及高纯金属片、粒、棒等。基本上能满足国内的需求,有些产品还可出口国外。 高超纯金属是 [[ 电子工业 ]] 、 [[ 国防工业 ]] 、 [[ 宇航 ]] 、 [[ 通讯 ]] 及高 [[ 科学技术 ]] 等 [[ 尖端产业 ]] 的重要基础材料,具有广阔的发展前景。
要采用新技术,进一步提高产品质量。扩大生产能力,降低成本,才能在国内外两个市场竞争中取得主动权。
==制取方法==
纯金属的制取过程可以概括为两种。一是将 [[ 金属化合物 ]] 经过沉淀、溶剂萃取、 [[ 离子交换 ]] 等得到纯金属化合物,然后将其还原成纯金属。如纯金属钛,往往是TiCl4经精馏提纯后再被还原成纯的 [[ 海绵钛 ]] 。二是得粗金属后,再提纯成纯金属。提纯方法有化学提纯法和物理提纯法两类。化学提纯法主要有电解精炼、氧化精炼、氯化精炼、歧化冶金等。物理提纯法主要有区域提纯、 [[ 蒸馏 ]] 、精馏精炼、拉制单晶、真空精炼等。拉制单晶是用籽晶或自生籽晶从熔体中拉制出单晶体使金属得到提纯的方法。物理提纯法设备简单,操作方便,试剂污染少,可作为最终的提纯手段。化学提纯法灵活性大,选择性强,但往往存在 [[ 试剂 ]] 玷污的缺点,在预提纯和中间提纯上得到广泛应用。但在生产中,两种方法往往相互配合使用。目前可以制备出纯度达12个“9”的超高纯锗,也可制备7个“9”以上的高纯 [[ 硅 ]] 、 [[ 砷 ]] 、 [[ 镓 ]] 、 [[ 铟 ]] 等,这些高纯金属用作半导体工业材料。 ==参考文献==