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[[File:中国科学院半导体研究所.jpg|350px|缩略图|右|<big>中国科学院半导体研究所</big>[http://www.semi.cas.cn/sqgk/jgjj/201404/W020200413582836827638.jpg 原图链接][http://www.semi.cas.cn/sqgk/jgjj/201404/t20140410_4088027.html 来自 中国科学院半导体研究所 的图片]]]
==历史沿革==
1956年1月, [[ 国务院 ]] 开始编制《1956~1967年科技发展规划》(《十二年科学技术发展规划》),国务院总理 [[ 周恩来 ]] 、副总理 [[ 陈毅 ]] 组织, [[ 范长江 ]] 任科学规划小组组长主持实际工作。3月14日,在周恩来的领导下,成立了以陈毅为主任的国务院科学规划委员会,并邀请了全国600多位 [[ 科学家 ]] 和以拉札连柯为首的18位 [[ 苏联 ]] 专家参与规划的制定工作。在规划中,将“ [[ 计算机 ]] 、 [[ 电子学 ]] 、半导体、自动化”列为四大紧急措施。到1956年6月中旬规划会议结束,中国科学院根据规划会议精神,将中国科学院应用物理研究所的电学组扩建为半导体研究室,任命王守武为研究室主任。研究室设立了半导体材料、器件和光热电三个组,并以 [[ 半导体 ]] (锗)电子器件为主攻方向。
1956~1960年间,陆续加入半导体研究室的 [[ 专家 ]] 有王守武、 [[ 汤定元 ]] 、成众志、吴锡九、王守觉、林兰英等。另外,中国科学院还向有关高等院校和研究单位发出邀请,请他们派出科研人员到半导体研究室共同开展半导体研究。当时来到半导体所参加研究工作的主要有熊子璥、吴汝麟、戴春洲、武尔祯、李卫、刘颖等四十余人。
这期间取得的主要成就有:
*1957年下半年,中国第一根锗单晶。
*1957年底,中国第一批锗合金结晶体管,型号定为“Π6”(苏联型号)。
*1958年7月,中国第一根硅单晶。
*1958年8月,中国第一批锗合金扩散晶体管,型号定为“Π401”。
1959年5月,物理所开始了把半导体研究室扩建为半导体研究所的准备工作。成立了办公、后勤机构,将物理所[[图书馆]]有关半导体的书籍分拣出来,成立了“半导体图书馆”,并在中关村建设半导体研究所的新楼。但后来新楼建成,又改由物理所占用,半导体所留在物理所原址——大取灯胡同9号。 1960年9月6日,半导体所正式成立。首任所长为宋之春,王守武任主管业务的副所长。1961年宋之春调往 [[ 新疆 ]] 科委,杨刚毅( [[ 力学 ]] 所副所长)代理所长到1962年,刘再生自山东科委调任半导体所所长。建所时,所内共有正副研究员6人,正研究员是王守武、林兰英,副研究员是成众志、汤定元、兰继喜和王守觉。当时半导体所共设五个研究室: *一室(材料室),主任[[林兰英]]。 *二室(器件室),主任[[王守觉]]。
*三室(测试室),主任王守武<ref>[http://casad.cas.cn/zt_124343/mhys/2014/201505/t20150512_4683144.html 王守武院士],中国科学院,2015-5-12</ref>兼,副主任庄蔚华。
*四室( [[ 电子 ]] 室),主任成众志。
*五室(光电室),主任汤定元。
另有负责中间试验和批量 [[ 生产 ]] 的109厂和七(温差电)、八( [[ 化学 ]] )、九(物理)三个组,分别由五、一、三代管。
1968年,半导体所划归国防科委第十四研究院,至1975年划回中国科学院。