64,262
次編輯
變更
無編輯摘要
普罗霍罗夫所依据的原理是物质中[[电子]]的受激发射效应。实际上就是爱因斯坦早在1916年就提出的受激[[辐射]]概念。设有两个能级，其能量分别为E1及E2，若上能级粒子数密度大于下能级粒子数密度，就形成了波同频率、同方向、同偏振，因而就使入射电磁波得到放大。一个能放大的系统，如果适当加大正反馈，就能形成振荡。这就是量子放大与量子振荡的基本原理。
1958年普罗霍罗夫和汤斯分别发表文章，指出[[光学]]中使用的法布里-珀罗标准具可用作从亚毫米波直到可见光波段的谐振腔。与微波谐振腔相比，这是一种开放式的腔。两块具有高反射率的半透镜对面放置，其间隔远大于波长。但入射[[电磁波]]从垂直于镜面的方向射入腔中后，在两镜面间来回反射，形成驻波，起着谐振腔的作用。在他们的理论指导下，两年后就发明了激光器 <ref>[https://www.sohu.com/a/151868018_358040 高能激光器的挑战与未来]，搜狐，2017-06-25</ref> 。
巴索夫1922年12月14日出生于[[俄罗斯]]的乌斯曼，父亲是一位大学教授。巴索夫于1941年在优龙涅什中学毕业。卫国战争中在部队服役。1946年进入莫斯科机械学院，1950年毕业。从1948年起，巴索夫就在苏联科学院列别捷夫物理研究所振动实验室任实验员，大学毕业后继续在该研究所工作，并升任[[工程师]]，1956年获得博士学位，1963年，任该所新建立的量子电子学实验室主任，兼莫斯科工程物理学院（原莫斯科机械学院）教授。普罗霍罗夫与巴索夫联名发表的两篇有关微波激射器的开创性论文，第一作者都是巴索夫，第二作者是普罗霍罗夫。可见，巴索夫在这项有历史意义的工作中起了何等的作用。当时巴索夫还未取得[[博士]]学位。
巴索夫又一项重要的科学贡献是对[[半导体]]激光器的研究。早在第一台激光器问世以前，巴索夫在1959年就提出了半导体激光器的方案。在半导体上加上足够强的脉冲电场，在强电场作用下，大量原子通过碰撞而被电离，导带中的电子数及价带中的空穴数均急剧增多。当电场撤去后，在一定条件下，可以产生粒子数反转状态。1961年，巴索夫又提出p-n结注入式激光器的原理，发表于苏联《实验与理论物理》杂志上。他还导出了产生受激发射的条件。据此，好几个研究组在1962年先后制成了[[半导体激光器]]。巴索夫用砷化镓（GaAs）在77K下获得近红外光的受激辐射。这种类型的激光器后来得到不断的完善，改进了结构，降低了阈值电流，提高了效率，压缩了激光线宽，特别是使其能在室温下工作。到了70年代后期，已逐渐形成了在应用上大发展的局面。成为当前应用最广的一种半导体激光器。
巴索夫倡导激光引发热[[核聚变]]，在1962年苏联科学院主席团会议上，以及在1963年巴黎国际量子电子学大会上，他都提出了这个建议。他一方面研制大[[功率]]的激光器和研究靶技术；另一方面深入了解产生这种效应的物理条件。1968年，实现了用强激光照射氘化锂（LiD）靶，首次发现从靶中产生出了[[中子]] <ref>[https://www.docin.com/p-455639054.html 1964年诺贝尔物理学奖——微波激射器和激光器的发明]，豆丁网 </ref> 。
巴索夫还致力于寻求新的原理与途径以产生大功率[[激光]]。从1962年起，他和他的合作者在化学激光器方面进行了深入研究，制成大功率脉冲和连续的氟化氢化学激光器、大功率纳秒脉冲光解离碘激光器、用电离的新型高气压气体激光器和准分子激光器。他们在[[信息]]的光学处理方法、激光稳频、激光频标、激光诱发化学反应、金属表面的激光涂层与固化等方面都有重要工作。在[[非线性光学]]方面，产生激波的爆发性化学激光器方面，巴索夫都起到了先驱者。
==参考文献==
[[Category:物理學家]]