變更

'''钻穿效应'''

在[[原子核]]附近出现的概率较大的[[电子]]，可更多地避免其余电子的排斥，受到核的较强的吸引而更靠近核，这种进入原子内部空间的作用叫做钻穿效应（penetration effect），钻穿效应可以使能级降低。

'''中文名''':[[钻穿效应 ]]

'''外文名''':[[penetration effect]]

对于n和l都不同的轨道，n值大的电子亚层能级反而比n值小的电子亚层能级低，例如E4s<E3d，这种现象称为能级交错。、能级交错也可以用钻穿效应来说明，通过把4s和3d的径向分布函数图进行比较可以看出（如下图）：

[[File:钻穿效应1.png|缩略图|钻穿效应[https://baike.baidu.com/pic/钻穿效应/10586176/0/cdbf6c81800a19d8a256327a38fa828ba61e4673?fr=lemma&ct=single#aid=0&pic=cdbf6c81800a19d8a256327a38fa828ba61e4673 原图链接][https://baike.baidu.com/pic/钻穿效应/10586176/0/cdbf6c81800a19d8a256327a38fa828ba61e4673?fr=lemma&ct=single#aid=0&pic=cdbf6c81800a19d8a256327a38fa828ba61e4673 图片来源百度网]]]

4s最大峰虽然比3d离核要远，但是它有小峰很靠近核。因此，4s比3d钻穿能力要大。4s和3d的径向分布函数图时也更好地回避其他电子的屏蔽。结果4s电子虽然主量子数较3d大，但角量子数小，钻穿效应大，使得4s轨道能级低于3d轨道的能级，即E4s<E3d。其他能级次序的不规则排列，如E5s<E4d，E6s<E4f< E5d，大体上都可以用同样的原因予以说明。 <ref>[王国清．无机化学：中国医药科技出版社 ，2015]</ref>