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[[File:U=4204070339,4196740666&fm=26&gp=0.jpg|缩略图|非平衡载流子[https://ss1.bdstatic.com/70cFuXSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=4204070339,4196740666&fm=26&gp=0.jpg 图片来源百度网][https://ss1.bdstatic.com/70cFuXSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=4204070339,4196740666&fm=26&gp=0.jpg 原图链接]]]
非平衡载流子是指处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分[[载流子称]]为非平衡载流子。
'''中文名''':[[非平衡载流子]]
'''外文名''':[[Non-equilibrium carrier]]
'''半导体''':情况注入情况和抽出情况
'''机 理''':复合中心的间接复合机理
[[File:U=954517230,2949215889&fm=26&gp=0.jpg|缩略图|非平衡载流子[https://ss3.bdstatic.com/70cFv8Sh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=954517230,2949215889&fm=26&gp=0.jpg 图片来源百度网][https://ss3.bdstatic.com/70cFv8Sh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=954517230,2949215889&fm=26&gp=0.jpg 原图链接]]]
==产生条件==
非平衡载流子的产生：非平衡状态的半导体有两种情况，一种是比平衡载流子多出了一部分载流子，为注入情况；另一种是比平衡载流子缺少了一部分载流子，为抽出情况。
[[File:U=1961397895,3302227136&fm=26&gp=0.png|缩略图|非平衡载流子[https://ss1.bdstatic.com/70cFuXSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=1961397895,3302227136&fm=26&gp=0.jpg 图片来源百度网][https://ss1.bdstatic.com/70cFuXSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=1961397895,3302227136&fm=26&gp=0.jpg 原图链接]]]
==寿命==
非平衡载流子的寿命：在没有外界作用时，所多出的载流子——非平衡载流子将要复合而消失（半导体恢复到平衡状态），非平衡载流子的平均消失时间就是载流子的“[[复合寿命]]”；相反，对于缺少了载流子的[[半导体]]，将要产生出载流子、以恢复到平衡状态，这时，产生出缺少了的一部分载流子所需要的时间就是载流子的“产生寿命”。复合与产生的机理与半导体种类有关，Si主要是[[复合中心]]<ref>[徐龙道．物理学词典：科学出版社，2007.9]</ref> 的[[间接复合机理]]。
非平衡载流子多半是少数载流子：由于[[半导体电中性条件]]<ref>[https://baike.baidu.com/reference/9210677/ae8ebPGPj2e9EXe3Yl4-O9T-xQR9244UQdJzmq612peFyvvqwItaPyrLVGjpKGn5jnz0Yt_lvjf0k6Pwj6G8yTRc 豆丁网,引用日期2017-08-22] </ref> 的要求，一般不能向半导体内部注入、或者从半导体内部抽出多数载流子，而只能够注入或者抽出少数载流子，所以半导体中的非平衡载流子一般就是非平衡少数载流子。
==运动形式==
非平衡载流子的运动：因为作为少数载流子的非平衡载流子能够产生浓度梯度，所以，非平衡载流子的扩散是一种重要的运动形式；在小注入时，尽管非平衡载流子的数量很小，但是它可以形成很大的浓度梯度，从而能够产生出很大的[[扩散电流]]。相对来说，非平衡载流子受电场作用而产生的漂移电流却往往较小。
==视频 ==
==两种载流子==
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==参考文献==
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非平衡载流子是指处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0（此处0是下标），可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分[[载流子称]]为非平衡载流子。
'''中文名''':[[非平衡载流子]]
'''外文名''':[[Non-equilibrium carrier]]
'''半导体''':情况注入情况和抽出情况
'''机 理''':复合中心的间接复合机理
[[File:U=954517230,2949215889&fm=26&gp=0.jpg|缩略图|非平衡载流子[https://ss3.bdstatic.com/70cFv8Sh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=954517230,2949215889&fm=26&gp=0.jpg 图片来源百度网][https://ss3.bdstatic.com/70cFv8Sh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=954517230,2949215889&fm=26&gp=0.jpg 原图链接]]]
==产生条件==
非平衡载流子的产生：非平衡状态的半导体有两种情况，一种是比平衡载流子多出了一部分载流子，为注入情况；另一种是比平衡载流子缺少了一部分载流子，为抽出情况。
[[File:U=1961397895,3302227136&fm=26&gp=0.png|缩略图|非平衡载流子[https://ss1.bdstatic.com/70cFuXSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=1961397895,3302227136&fm=26&gp=0.jpg 图片来源百度网][https://ss1.bdstatic.com/70cFuXSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=1961397895,3302227136&fm=26&gp=0.jpg 原图链接]]]
==寿命==
非平衡载流子的寿命：在没有外界作用时，所多出的载流子——非平衡载流子将要复合而消失（半导体恢复到平衡状态），非平衡载流子的平均消失时间就是载流子的“[[复合寿命]]”；相反，对于缺少了载流子的[[半导体]]，将要产生出载流子、以恢复到平衡状态，这时，产生出缺少了的一部分载流子所需要的时间就是载流子的“产生寿命”。复合与产生的机理与半导体种类有关，Si主要是[[复合中心]]<ref>[徐龙道．物理学词典：科学出版社，2007.9]</ref> 的[[间接复合机理]]。
非平衡载流子多半是少数载流子：由于[[半导体电中性条件]]<ref>[https://baike.baidu.com/reference/9210677/ae8ebPGPj2e9EXe3Yl4-O9T-xQR9244UQdJzmq612peFyvvqwItaPyrLVGjpKGn5jnz0Yt_lvjf0k6Pwj6G8yTRc 豆丁网,引用日期2017-08-22] </ref> 的要求，一般不能向半导体内部注入、或者从半导体内部抽出多数载流子，而只能够注入或者抽出少数载流子，所以半导体中的非平衡载流子一般就是非平衡少数载流子。
==运动形式==
非平衡载流子的运动：因为作为少数载流子的非平衡载流子能够产生浓度梯度，所以，非平衡载流子的扩散是一种重要的运动形式；在小注入时，尽管非平衡载流子的数量很小，但是它可以形成很大的浓度梯度，从而能够产生出很大的[[扩散电流]]。相对来说，非平衡载流子受电场作用而产生的漂移电流却往往较小。
==视频 ==
==两种载流子==
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==参考文献==
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