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砷化镓
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砷化鎵
IUPAC名
Gallium arsenide
識別
CAS編號 1303-00-0 ?
SMILES
顯示▼
性質
化學式 GaAs
莫耳質量 144.645 g·mol⁻¹
外觀 灰色立方晶體
密度 5.316 g/cm3[1]
熔點 1238 °C (1511 K)
溶解性（水） < 0.1 g/100 ml (20 °C)
能隙 1.424 eV300 K
電子移動率 8500 cm2/(V*s) (300 K)
熱導率 0.55 W/(cm*K) (300 K)
折光度n
D 3.3
結構
晶體結構 閃鋅礦結構
空間群 T2d-F-43m
配位幾何 四面體
分子構型 直線形
危險性
歐盟危險性符號
有毒有毒 T危害環境危害環境N
警示術語 R：R23/25-R50/53
安全術語 S：S1/2-S20/21-S28-S45-S60-S61
MSDS MSDS
NFPA 704
NFPA 704.svg132W
若非註明，所有數據均出自一般條件（25 ℃，100 kPa）下。
砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波積體電路[a]、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等元件。
GaAs化合物半導體特別適合應用於無線通信中的高頻傳輸領域，現在越來越多被應用於射頻前端器件，這是因為GaAs化合物半導體電子移動率比傳統的矽快，且具有抗干擾、低雜訊與耐高電壓、耐高溫與高頻使用等特性，在4G與5G時代有高度需求。