''' 砷化鎵(IUPAC名Gallium arsenide)識別CAS編號 1303-00-0 ?SMILES 顯示▼性質 '''（ 化學式 ：'''GaAs莫耳質量 144.645 g·mol⁻¹外觀 灰色立方晶體密度 5.316 g/cm3[1]熔點 1238 °C (1511 K)溶解性（水） < 0.1 g/100 ml (20 °C)能隙 1.424 eV300 K電子移動率 8500 cm2/(V*s) (300 K)熱導率 0.55 W/(cm*K) (300 K)折光度nD 3.3結構晶體結構 閃鋅礦結構空間群 T2d-F-43m配位幾何 四面體分子構型 直線形危險性歐盟危險性符號有毒有毒 T危害環境危害環境N警示術語 R：R23/25-R50/53安全術語 S：S1/2-S20/21-S28-S45-S60-S61MSDS MSDSNFPA 704 NFPA 704.svg132W若非註明，所有數據均出自一般條件（25 ℃，100 kPa）下。砷化鎵（化學式：GaAs ''' ）是 [[ 鎵 ]] 和 [[ 砷 ]] 兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波積體電路、[[a]、 紅外線 ]] 發光二極體、 [[ 半導體 ]] 雷射器和太陽電池等元件 。GaAs化合物半導體特別適合應用於無線通信中的高頻傳輸領域，現在越來越多被應用於射頻前端器件，這是因為GaAs化合物半導體電子移動率比傳統的矽快，且具有抗干擾、低雜訊與耐高電壓、耐高溫與高頻使用等特性，在4G與5G時代有高度需求 。