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朱慧珑
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朱慧珑，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。 提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等; · 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。
==简介 =={{Infobox person 基本信息| 姓名 =朱慧珑[[File:朱慧珑.png|缩略图|朱慧珑]] | 图像 =| 图像说明 = [http://a4.att.hudong.com/50/95/01200000024444136353959415855_s.png 原图链接] [http://image.so.com/i?q=%E6%9C%B1%E6%85%A7%E7%8F%91&src=tab_baike 来自360网]]] | 出生日期 = {{birth date and age|YYYY|MM|DD}} <!-- 逝世用: {{Birth date|YYYY|MM|DD}} --> | 出生地点 = | 逝世日期 = {{Death date and age|YYYY|MM|DD|YYYY|MM|DD}} <!-- 死亡日期在前， 出生日期在后 --> | 逝世地点 = | 国籍 =中国 | 别名 = | 职业 = 微电子研究所研究员，博士生导师 | 知名于 =精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。 <br>}}