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[[File:离子注入1.jpg|缩略图|离子注入[https://image2.slideserve.com/4203313/slide7-l.jpg 原图链接][https://image2.slideserve.com/4203313/slide7-l.jpg 图片来源优酷网]]]离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面，这个现象叫做 [[ 溅射 ]] ；而当离子束射到固体材料时，从固体材料表面弹了回来，或者穿出固体材料而去，这些现象叫做 [[ 散射 ]] ；另外有一种现象是，离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中的这一现象叫作离子注入。

离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性技术。其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。 ；<ref>[1https://baike.baidu.com/reference/8315029/5addyIuBvemub1iFijGuK6Xq_DC-hIjminpB4AToqGh1p089GYxVXgejs-4GTX1UWc18BFXgm1Et77o7lresr9_Ezdx-uBzdmc6O2ChvdzbcprbuZtipxt84RNDx  中国花卉网．2010-9-6，引用日期2015-11-02] </ref> 此项技术由于其独特而突出的优点，已经在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，取得了巨大的经济效益和社会效益。

在工艺流程中，光刻的下一道工序就是刻蚀或离子注入。在做离子注入时，有光刻胶保护的地方，离子束无法穿透光刻胶；在没有光刻胶的地方离子束才能被注入到衬底中实现掺杂。因此，用于离子注入工艺的光刻胶必须要能有效地阻挡离子束 [2] ；<ref>[3董立松等，在光刻工艺中减轻晶圆形貌对离子注入影响的研究，光学学报（SCI），2017.08.01，Vol. 42, No. 15] </ref> 。

（3）尽量避免对器件（如栅极的金属）造成伤害 <ref>[2韦亚一．超大规模集成电路先进光刻理论与应用．北京：科学出版社，2016：171-171，483-483] </ref> 。