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张湘义
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"不积跬步，无以至千里;不积小流，无以成江海。"在二十余年的潜心研究中，张湘义教授带领研究团队坚持不懈，乐在其中，上下求索，在纳米材料科学与工程研究领域取得了优异的成绩:弄清了非晶合金晶化形成纳米晶的条件，给出了实验判据，揭示出纳米晶复相永磁材料中软磁相晶粒粗大的根源，为纳米晶材料的优化设计和制备提供了理论指导。建立了高压下磁性非晶合金中纳米晶的形成理论和纳米晶磁性材料的高压制备新技术;提出了晶体成核的压力诱导机制。发现纳米晶复相永磁材料中纳米晶界面处存在较大尺寸的结构自由体积并富集非磁性原子，提出了通过控制界面处这些因素的形成来提高磁能积的新思路，并从实验上得到证实。发现纳米晶复相永磁材料中软磁a-Fe相的织构能够诱导NdFeB纳米晶体的取向生长，提出了在NdFeB纳米晶中形成晶体织构的新思路。其研究成果对化解制约纳米晶复相永磁材料磁能积提高的瓶颈奠定了基础，对新一代高能永磁材料的发展具有重要的意义。他们在室温下采用机械变形实现了非晶合金大面积纳米晶化，发展了一种制备复合纳米晶材料的新方法，并通过原子尺度的结构研究，弄清了室温纳米晶化的机制;揭示了FePt纳米晶薄膜L10有序转变中原子化过程，弄清了L10有序化温度高的原因，提出了成核促进L10有序化的新思路，发展了一种制备L10-FePt超细纳米晶薄膜的新方法;发现高压导致非晶合金中纳米晶体取向生长的新现象，提出了纳米晶体取向生长的动力学机制，在高压下实现了贫Nd非晶合金中Nd2Fe14B纳米晶体的取向生长;建立了电沉积晶体准三维临界尺寸模型，提出晶面能控制纳米线生长的热力学机制，实现了电沉积单晶纳米线的可控生长。这些成果为纳米材料科学和技术的发展做出了贡献。
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| 图像说明 = 张湘义教授
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张湘义教授和他的研究团队在Phys. Rev. Lett.(美国物理评论快报)和Adv.