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禁带宽度
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禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），自由空穴存在的能带称为价带（亦能导电）。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
禁带宽度（Band gap），符号为Eg；导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。固体物理学的量。SI单位:J(焦〔耳〕)。并用的非SI单位:eV(电子伏)。1 eV = (1.602 177 33±0.000 000 49)×10-19J。
*中文名:[[禁带宽度]]
*外文名:Band gap
*基本信息:一个能带宽度
*物理意义:半导体的一个重要特征参量
*性能的影响:决定着器件的耐压和最高工作温度
==基本信息==
例如：室温下（300K），锗的禁带宽度约为0.66 eV；硅的禁带宽度约为1.12 eV；[[砷化镓]]的禁带宽度约为1.424 eV；[[氧化亚铜]]的禁带宽度约为2.2 eV。禁带宽度为零的是金属，禁带宽度很大（一般大于4.5 eV）的是绝缘体，禁带宽度居中的是[[半导体]]。半导体的反向耐压，[[正向压降]]都和禁带宽度有关。
==物理意义==
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与[[晶体结构]]和[[原子]]的键合性质等有关。
半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为[[价电子]]），不能够导电，即不是[[载流子]]。只有当价电子跃迁到导带（即[[本征激发]]）而产生出自由电子和自由[[空穴]]后，才能够导电。空穴实际上也就是价电子跃迁到导带以后所留下的价键空位（一个空穴的运动就等效于一大群价电子的运动）。因此，禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。
Si的原子序数比Ge的小，则Si的价[[电子束]]缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。GaAs的价键还具有极性，对价电子的束缚更紧，所以GaAs的禁带宽度更大。GaN、SiC等所谓宽禁带半导体的禁带宽度更要大得多，因为其价键的极性更强。Ge、Si、GaAs、GaN和金刚石的禁带宽度在室温下分别为0.66 eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。
[[金刚石]]在一般情况下是绝缘体，因为碳（C）的原子序数很小，对价电子的束缚作用非常强，价电子在一般情况下都摆脱不了价键的束缚，则禁带宽度很大，在室温下不能产生出载流子，所以不导电。不过，在数百度的高温下也同样呈现出半导体的特性，因此可用来制作工作温度高达 500℃以上的晶体管。
作为载流子的[[电子]]和空穴，分别处于导带和价带之中；一般，电子多分布在导带底附近（导带底相当于电子的势能低点），空穴多分布在价带顶附近（价带顶相当于空穴的势能低点）。高于导带底的能量就是电子的动能，低于价带顶的能量就是空穴的动能。半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度一般具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推0 K时是 1.17 eV，到室温时即下降到 1.12 eV。
如果由许多孤立原子结合而成为晶体的时候，一条原子能级就简单地对应于一个能带，那么当温度升高时，[[晶体]]体积膨胀，原子间距增大，能带宽度变窄，则禁带宽度将增大，于是禁带宽度的温度系数为正。但是，对于常用的Si、Ge和GaAs等半导体，在由原子结合而成为晶体的时候，价键将要产生所谓杂化（s态与p态混合——sp3杂化），结果就使得一条原子能级并不是简单地对应于一个能带。所以，当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的——负的温度系数。
当掺杂浓度很高时，由于杂质能带和能带尾的出现，而有可能导致禁带宽度变窄。
禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于[[双极性晶体管]]，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。
==参考文献==
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|<center>'''2'''<br><img
src="3 " width="280"></center><small> 圖片來自4</small>
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禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），自由空穴存在的能带称为价带（亦能导电）。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
禁带宽度（Band gap），符号为Eg；导带的最低能级和价带的最高能级之间的能。固体物理学的量。SI单位:J(焦〔耳〕)。并用的非SI单位:eV(电子伏)。1 eV = (1.602 177 33±0.000 000 49)×10-19J。
*中文名:[[禁带宽度]]
*外文名:Band gap
*基本信息:一个能带宽度
*物理意义:半导体的一个重要特征参量
*性能的影响:决定着器件的耐压和最高工作温度
==基本信息==
例如：室温下（300K），锗的禁带宽度约为0.66 eV；硅的禁带宽度约为1.12 eV；[[砷化镓]]的禁带宽度约为1.424 eV；[[氧化亚铜]]的禁带宽度约为2.2 eV。禁带宽度为零的是金属，禁带宽度很大（一般大于4.5 eV）的是绝缘体，禁带宽度居中的是[[半导体]]。半导体的反向耐压，[[正向压降]]都和禁带宽度有关。
==物理意义==
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与[[晶体结构]]和[[原子]]的键合性质等有关。
半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为[[价电子]]），不能够导电，即不是[[载流子]]。只有当价电子跃迁到导带（即[[本征激发]]）而产生出自由电子和自由[[空穴]]后，才能够导电。空穴实际上也就是价电子跃迁到导带以后所留下的价键空位（一个空穴的运动就等效于一大群价电子的运动）。因此，禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。
Si的原子序数比Ge的小，则Si的价[[电子束]]缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。GaAs的价键还具有极性，对价电子的束缚更紧，所以GaAs的禁带宽度更大。GaN、SiC等所谓宽禁带半导体的禁带宽度更要大得多，因为其价键的极性更强。Ge、Si、GaAs、GaN和金刚石的禁带宽度在室温下分别为0.66 eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。
[[金刚石]]在一般情况下是绝缘体，因为碳（C）的原子序数很小，对价电子的束缚作用非常强，价电子在一般情况下都摆脱不了价键的束缚，则禁带宽度很大，在室温下不能产生出载流子，所以不导电。不过，在数百度的高温下也同样呈现出半导体的特性，因此可用来制作工作温度高达 500℃以上的晶体管。
作为载流子的[[电子]]和空穴，分别处于导带和价带之中；一般，电子多分布在导带底附近（导带底相当于电子的势能低点），空穴多分布在价带顶附近（价带顶相当于空穴的势能低点）。高于导带底的能量就是电子的动能，低于价带顶的能量就是空穴的动能。半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度一般具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推0 K时是 1.17 eV，到室温时即下降到 1.12 eV。
如果由许多孤立原子结合而成为晶体的时候，一条原子能级就简单地对应于一个能带，那么当温度升高时，[[晶体]]体积膨胀，原子间距增大，能带宽度变窄，则禁带宽度将增大，于是禁带宽度的温度系数为正。但是，对于常用的Si、Ge和GaAs等半导体，在由原子结合而成为晶体的时候，价键将要产生所谓杂化（s态与p态混合——sp3杂化），结果就使得一条原子能级并不是简单地对应于一个能带。所以，当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的——负的温度系数。
当掺杂浓度很高时，由于杂质能带和能带尾的出现，而有可能导致禁带宽度变窄。
禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于[[双极性晶体管]]，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。
==参考文献==
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