41,228
次編輯
變更
反向电流
,创建页面，内容为“{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #FF2400" align= center| '''<big>反向电流</big>''' |- |<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/27…”
{| class="wikitable" align="right"
|-
| style="background: #FF2400" align= center| '''<big>反向电流</big>'''
|-
|<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/270_500_/t01b7b2a34df340159e.jpg?size=232x323 width="300"></center>
<small>[https://baike.so.com/doc/6490402-6704110.html 来自 网络 的图片]</small>
|-
|-
| align= light|
|}
'''反向电流'''是指PN结在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管或晶体管的反向电流。
=='''简介'''==
对于二极管反向电流越小，管子的单方向导电[[性能]]越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子[[过热]]而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 它的符号是I(下标R)。
=='''评价'''==
当晶体管的发射极开路时，在集电结反向电压的作用下，基区的少子自由电子和集电区的少子空穴会形成漂移电流，即为集电极与基极之间的反向饱和电流Icbo，也称集电结反向漏电电流。Icbo对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。<ref>[http://news.sohu.com/a/537030477_120472703 反向电流]搜狗</ref>
=='''参考文献'''==
|-
| style="background: #FF2400" align= center| '''<big>反向电流</big>'''
|-
|<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/270_500_/t01b7b2a34df340159e.jpg?size=232x323 width="300"></center>
<small>[https://baike.so.com/doc/6490402-6704110.html 来自 网络 的图片]</small>
|-
|-
| align= light|
|}
'''反向电流'''是指PN结在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管或晶体管的反向电流。
=='''简介'''==
对于二极管反向电流越小，管子的单方向导电[[性能]]越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子[[过热]]而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 它的符号是I(下标R)。
=='''评价'''==
当晶体管的发射极开路时，在集电结反向电压的作用下，基区的少子自由电子和集电区的少子空穴会形成漂移电流，即为集电极与基极之间的反向饱和电流Icbo，也称集电结反向漏电电流。Icbo对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。<ref>[http://news.sohu.com/a/537030477_120472703 反向电流]搜狗</ref>
=='''参考文献'''==