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段文晖
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材料科学专家。清华大学教授。1967年1月生于湖南省冷水江市，籍贯湖南冷水江。1981-1992年在清华大学学习，先后于1986、1988与1992年获得该校学士、硕士与博士学位。2017年当选为中国科学院院士。
主要从事计算材料科学领域的研究，从原子与电子层次出发开展材料性质预测和微观结构设计。发现对称性选择定则导致的量子输运性质，提出了基于石墨烯直接构筑基本器件单元的方案，并预测了多种组成简单的二维拓扑材料。提出了半导体材料反常表面金属化的氢桥键机制，发现超晶格调制可诱导新铁电相并提高压电性能。揭示了磁掺杂拓扑材料中的量子相变机制，发现其薄膜中的负双折射现象。两期国家重大研究计划项目的首席科学家，两次获国家自然科学奖二等奖，并获叶企孙物理奖。
主要从事计算材料科学领域的研究，从原子与电子层次出发开展材料性质预测和微观结构设计。发现对称性选择定则导致的量子输运性质，提出了基于石墨烯直接构筑基本器件单元的方案，并预测了多种组成简单的二维拓扑材料。提出了半导体材料反常表面金属化的氢桥键机制，发现超晶格调制可诱导新铁电相并提高压电性能。揭示了磁掺杂拓扑材料中的量子相变机制，发现其薄膜中的负双折射现象。两期国家重大研究计划项目的首席科学家，两次获国家自然科学奖二等奖，并获叶企孙物理奖。