變更

参与筹建中国半导体测试基地，建立了一系列材料测试系统。1963年开始致力于半导体光电子学研究，在中国首先研制成连续激射的室温半导体激光器，先后使短波长和长波长激光器寿命突破10万小时，达到实用水平。发现了双异质结构激光器中出现反常自脉动，正向负阻开关和记忆开关等现象，提出了双光丝Ｑ开关机制，界面态载流子陷落存贮机制以及自掺杂反向击穿机制等，为深入研究提供了理论基础。研制成量子阱激光器、调制器和光双稳激光器及开关器件，对发展光信息处理、光开关、光交换技术以及新一代光电子器件做出了贡献。