變更

==肖克利二极体==

肖克利在持续研究电晶体时，被使用四层装置（均为电晶体）的灵感所启发，而这个装置可能会有不需要进一步控制输入端就可以锁定进入“开”或“开”状态的新颖特质。

类似的电路需要若干个电晶体，一般是三个，所以对于大型的开关网路，新的二极体可以大幅降低複杂性。<ref>Kurt Hubner, [http://www.semizone.com/miscimages/hubner_paper_first_page.jpg "The Four-Layer Diode in the Cradle of Silicon Valley"] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20070219030531/http://www.semizone.com/miscimages/hubner_paper_first_page.jpg |date=2007-02-19 }}, ''Electrochemical Society Proceedings'', Volume 98-1</ref><ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_Shockley4E30_Page3.htm "Historic Transistor Photo Gallery Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes"]</ref>这个四层二极体就是现在所称的[[肖克利二极体]]。

==八叛逆==

最终一群年轻的员工越级肖克利，向阿诺德·贝克曼要求有人能取代肖克利的管理角色。贝克曼起初显露倾向于同意他们的要求，但是随著时间的推移，一系列的决策都显示贝克曼是站在肖克利同一边，使得最终无法得到改变是非常清楚的。厌倦之馀，这个小组转而寻求{{tsl|en|Sherman Fairchild|谢尔曼·费尔柴尔德}}主掌的{{tsl|en|Fairchild Camera and Instrument|仙童摄影器材}}的支持，这是间拥有军方合约的美国东部公司。1957年，[[快捷半导体]]创始于製做硅电晶体的计划上。肖克利曾表示他们是“[[八叛逆]]”，分别是{{tsl|en|Julius Blank|朱利亚斯·布兰克}}、[[维克多·格里尼克]]、{{tsl|en|Jean Hoerni|金·赫尔尼}}、{{tsl|en|Eugene Kleiner|尤金·克莱尔}}、{{tsl|en|Jay Last|杰·拉斯特}}、[[高登·摩尔]]、[[罗伯特·诺伊斯]]和{{tsl|en|Sheldon Roberts|谢尔顿·罗伯茨}}等8人。<ref>

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