羅伯特·海思·丹納德檢視原始碼討論檢視歷史

羅伯特·海思·丹納德 Robert H. Dennard
原圖鏈結、圖片來自cio 羅伯特·海思·丹納德博士，IBM院士，圖中背後圖形為動態隨機存取記憶體（DRAM）記憶單元的電路圖
出生	(1932-09-05)1932年9月5日 美國 德克薩斯州特雷爾
居住地	美國
國籍	美國
公民權	美國
母校	南方衛理公會大學 卡內基技術學院
知名於	動態隨機存取記憶體（DRAM）
獎項	哈維獎（1990） IEEE愛迪生獎章（2001） IEEE榮譽獎章（2009）
科學生涯
研究領域	電機工程
機構	IBM

羅伯特·海思·丹納德（英語：Robert Heath Dennard，1932年9月5日－），生於美國德克薩斯州特雷爾（Terrell），電機工程師與發明家，為隨機存取記憶體（DRAM）的發明者。

生平

1954年，於達拉斯南方衛理公會大學取得電機工程學士，1956年取得碩士學位。1958年，於卡內基技術學院（卡內基梅隆大學的前身）取得博士學位。畢業後，進入IBM工作。

1968年，發明隨機存取記憶體。1970年代與1980年代，投入MOSFET的微縮方程式(scaling equations)研發。

榮譽

2013年，獲得日本京都賞先進技術獎。

　

外部連結

• （英文）Robert Dennard, Inventor of the Week (Archive), MIT .
• （英文）Robert H Dennard, Legacies (Bio), IEEE .