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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #FF2400" align= center| '''<big>TSOP封装</big>''' |- |<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/270_500_/t01b3d267cee44f3c22.jpg?size=265x176 width="300"></center> <small>[https://baike.so.com/doc/5946-6091.html 来自 网络 的图片]</small> |- |- | align= light| |} '''TSOP'''是"Thin Small Outline Package"的缩写,意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚,采用SMT技术(表面安装技术)直接附着在PCB板的表面。 =='''简介'''== TSOP封装外形尺寸时,寄生参数(电流大幅度变化时,引起输出电压扰动) 减小,适合高频应用,操作比较方便,可靠性也比较高。同时TSOP封装具有[[成品率]]高,价格便宜等优点,因此得到了极为广泛的应用。相比FBGA 来说,TSOP 价格相对便宜,但是高频优势比FBGA 要差一些。到了上个世纪80年代,内存第二代的封装技术TSOP出现,得到了业界广泛的认可,时至今日仍旧是内存封装的[[主流]]技术。 =='''评价'''== TSOP封装方式中,内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的,焊点和PCB板的接触面积较小,使得芯片向PCB板传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后,会产生较大的信号干扰和电磁干扰它的缺点是容量密度做不大,因此不可能彻底取代DRAM、SRAM,但在一些对容量没有过高要求、对寿命/速度敏感的场景和设备上非常合适,尤其是高速工业场景。其实,铁电存储技术不是新鲜玩意儿,1921年就有了这一概念。虽然直到1993年才由美国RAmtron公司开发出第一个4Kb FRAM产品,但近些年来已经得到了广泛应用。<ref>[https://baijiahao.baidu.com/s?id=1716670853252729388&wfr=spider&for=pc TSOP封装]搜狗</ref> =='''参考文献'''== [[Category:470 製造總論]]
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