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功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。
中文名:功率晶体管
外文名':power transistor
统 称:新型射频功率器件
特 点:性能高、寄生电容小、易于集成
特性
1、通态特性：大注入下基区和集电区发生调制效应，通态压降很低
2、开关特性：关断过程中的电流集中现象：由于基区存在自偏压效应，在晶体管关断过程中使发射极边缘部分反偏，边缘关断而中心仍导通，于是出现电流集中现象
3、二次击穿特性，和所有继电器一样。值得说明的是当第一次雪崩击穿后，加在BJT上的能力超过临界值才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。
主要应用
1、作为放大器，应用在电源串联调压电路，音频和超声波放大等领域
2、作为大功率半导体开关，电视机行输出电路，电机控制，不停电电源和汽车电子
工作模式
1、当BE结正偏、CB结反偏时，功率晶体管处于放大模式
2、当BE结合CB结均正偏时，功率晶体管处于饱和模式
3、当BE结零偏或反偏、CB结反偏时，功率晶体管处于截止模式。
功率晶体管的放大作用表现为：用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流；或者将较小的功率按比例放大为较大的功率。
主要参数
1、额定电压
2、电流定额：集电极最大电流Icm，集电极持续电流Ic
3、集电极最大耗散功率：Pcm（管壳为25℃时）
4、最高结温Tmj（一般为150℃）
5、开关时间：开通时间、存储时间、下降时间[1]