功率晶體管檢視原始碼討論檢視歷史
功率晶體管是隨着近幾年移動通信系統對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易於集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
中文名:功率晶體管
外文名':power transistor
統 稱:新型射頻功率器件
特 點:性能高、寄生電容小、易於集成
特性
1、通態特性：大注入下基區和集電區發生調製效應，通態壓降很低
2、開關特性：關斷過程中的電流集中現象：由於基區存在自偏壓效應，在晶體管關斷過程中使發射極邊緣部分反偏，邊緣關斷而中心仍導通，於是出現電流集中現象
3、二次擊穿特性，和所有繼電器一樣。值得說明的是當第一次雪崩擊穿後，加在BJT上的能力超過臨界值才產生二次擊穿，也就是說二次擊穿需要能量。
主要應用
1、作為放大器，應用在電源串聯調壓電路，音頻和超聲波放大等領域
2、作為大功率半導體開關，電視機行輸出電路，電機控制，不停電電源和汽車電子
工作模式
1、當BE結正偏、CB結反偏時，功率晶體管處於放大模式
2、當BE結合CB結均正偏時，功率晶體管處於飽和模式
3、當BE結零偏或反偏、CB結反偏時，功率晶體管處於截止模式。
功率晶體管的放大作用表現為：用較小的基極電流可以控制較大的集電極電流；或者將較小的功率按比例放大為較大的功率。
主要參數
1、額定電壓
2、電流定額：集電極最大電流Icm，集電極持續電流Ic
3、集電極最大耗散功率：Pcm（管殼為25℃時）
4、最高結溫Tmj（一般為150℃）
5、開關時間：開通時間、存儲時間、下降時間[1]