快閃記憶體(NAND Flash)檢視原始碼討論檢視歷史

Nand Flash
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快閃記憶體Nand Flash是Flash的一種技術規格，Nand Flash型的Cell是彼此相連，僅第一個及最後一個Cell分別與Work Line、BIT Line相連，因此Nand Flash架構儲存容量較Nor Flash高。Nand Flash的容量較大，改寫速度快，主要應用在大量資料的儲存，容量最高達128Mb，產品包括數位相機、MP3隨身聽的記憶卡等。NAND Flash的基本存儲單元是頁(Page)，NAND Flash的頁類似硬碟的磁區，硬碟的1個磁區也為512位元組，而每頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於資料存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗資訊，因此用(512+16)Byte表示。NAND是以塊為單位進行擦除，快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有資料，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。NAND Flash技術從最早期的SLC(Single-Level Cell)世代，1個記憶體儲存單元(cell)存放1位元(bit)的資料，到MLC(Multi-Level Cell)中，1個記憶體儲存單元存放2位元，2009年開發TLC(Triple-Level Cell)，1個記憶體儲存單元可存放3位元。

快閃記憶體屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種，瞬間便可更改內部資料，電源關閉後，儲存在其內的資料不會流失為目前最熱門的新一代記憶體技術，平常使用狀況下，Flash Memory 為唯讀記憶體，但在特別軟、硬體驅動下，可以對其寫入資料，且可多次重複寫入。Flash memory或是 Flash　ROM快閃記憶體,是目前最新的一種ROM型式(不過其內部材料已和最早的ＲＯＭ大相不同)是在１９８０年代由英特爾公司推出,主要用以替代ＥＥＰＲＯＭ,做為系統程式儲存及記錄(Code Storage),且注重在指令的快速讀取及對系統的開機管理,快閃記憶體並不需要不斷充電來維持其中的資料,但是每當資料更新時必須以blocks為單位加以覆蓋,而非一個byte或一個byte來寫入,Block的大小從２５６ｋｂ到２０ＭＢ不等。快閃記憶體由ＥＥＰＲＯＭ演化而來,但是價格較便宜且位元密度較高,所以會成為ＥＷＥＰＲＯＭ的替代品。目前快閃記憶體多用於ＰＣ　Ｃａｒｄ記憶卡,主機板和Ｓｍａｒｔ　Ｃａｒｄ。近年來,隨著寫入速度高容量及單位位元價格下降等因素考量,對聲音和影像等資料例如ＭＰ３的儲存也成為快閃記憶體技術發展的另一主流。

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B6-20快閃記憶體M2U00439