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快閃記憶體(NAND Flash)檢視原始碼討論檢視歷史

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Nand Flash
Nand Flash照片來自

快閃記憶體Nand Flash是Flash的一種技術規格,Nand Flash型的Cell是彼此相連,僅第一個及最後一個Cell分別與Work Line、BIT Line相連,因此Nand Flash架構儲存容量較Nor Flash高。Nand Flash的容量較大,改寫速度快,主要應用在大量資料的儲存,容量最高達128Mb,產品包括數位相機、MP3隨身聽的記憶卡等。[1]NAND Flash的基本存儲單元是頁(Page),NAND Flash的頁類似硬碟的磁區,硬碟的1個磁區也為512位元組,而每頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於資料存儲的部分,實際上還要加上16位元組的校驗資訊,因此用(512+16)Byte表示。NAND是以塊為單位進行擦除,快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有資料,必須先擦除後寫入,因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。NAND Flash技術從最早期的SLC(Single-Level Cell)世代,1個記憶體儲存單元(cell)存放1位元(bit)的資料,到MLC(Multi-Level Cell)中,1個記憶體儲存單元存放2位元,2009年開發TLC(Triple-Level Cell),1個記憶體儲存單元可存放3位元。


快閃記憶體屬於非揮發性記憶體 (NVRAM ) 的一種,瞬間便可更改內部資料,電源關閉後,儲存在其內的資料不會流失為目前最熱門的新一代記憶體技術,平常使用狀況下,Flash Memory 為唯讀記憶體,但在特別軟、硬體驅動下,可以對其寫入資料,且可多次重複寫入。Flash memory或是 Flash ROM快閃記憶體,是目前最新的一種ROM型式(不過其內部材料已和最早的ROM大相不同)是在1980年代由英特爾公司推出,主要用以替代EEPROM,做為系統程式儲存及記錄(Code Storage),且注重在指令的快速讀取及對系統的開機管理,快閃記憶體並不需要不斷充電來維持其中的資料,但是每當資料更新時必須以blocks為單位加以覆蓋,而非一個byte或一個byte來寫入,Block的大小從256kb到20MB不等。[2]快閃記憶體由EEPROM演化而來,但是價格較便宜且位元密度較高,所以會成為EWEPROM的替代品。目前快閃記憶體多用於PC Card記憶卡,主機板和Smart Card。近年來,隨著寫入速度高容量及單位位元價格下降等因素考量,對聲音和影像等資料例如MP3的儲存也成為快閃記憶體技術發展的另一主流。


影片

B6-20快閃記憶體M2U00439


參考資料

  1. Nand Flash03.23.2021 MoneyDJ理財網
  2. 什麼是NAND?08.07.2007 a4112