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格羅方德
Global Foundries

公司類型  子公司

成立    2009年3月2日

總部    美國加利福尼亞州聖克拉拉

產業    半導體晶圓廠

產品    晶圓

母公司   先進技術投資公司

官方網站  www.globalfoundries.com

格罗方德半导体股份有限公司(Global Foundries)是一家总部位于美国加州硅谷桑尼维尔市的半导体晶圆代工厂商, 成立于2009年3月 。格罗方德半导体股份有限公司由AMD拆分而来、与阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)和穆巴达拉发展公司(Mubadala)联合投资成立的半导体制造企业。 GLOBALFOUNDRIES旗下拥有德国德累斯顿、美国奥斯汀和纽约州(建设中)等多座工厂,员工总数约18000人 ,领导团队包括首席执行官汤姆∙嘉菲尔德(Dr. Thomas Caulfield) 、首席财务官Doug Devine 、首席法务官Saam Azar ,首席技术官Gary Patton 等。

成立历史

格羅方德成立於2009年3月2日,是從美國AMD公司製造部門分拆出。母公司分別為AMD及阿布達比主权财富基金阿布達比創投Mubadala Investment Company旗下的先進技術投資公司(Advanced Technology Investment Company;簡稱ATIC),其中ATIC佔公司股權65.8%,兩公司均享有均等投票權。

2010年1月13日,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)收購新加坡特許半導體Chartered Semiconductor Manufacturing

2011年3月6日,ATIC以4.25億美元收購AMD擁有的格羅方德半導體股份餘下的8.8%的股份,成為一家獨立的晶片製造商,使得ATIC成為格羅方德的唯一持股者。

2013年,位于美国纽约州的八厂投入运营。AMD對該廠擁有14%的股份。

2014年10月20日,IBM正式宣布邀請格羅方德收購其晶片製造業務,並將在未來3年支付格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)現金15億美元。

2016年5月31日,宣布將與重慶官方合資設立12吋晶圓廠,由重慶市官方提供土地與中國中航航空電子系統的廠房,而格羅方德則負責技術升級,將現有的8吋晶圓廠升級為12吋晶圓[1]

2017年2月10日,宣布在中國四川省成都高新區建造12吋晶圓生產項目,投資規模預計超過100億美元,將成為中國西南部首條12吋晶圓生產線。[2]

2017年6月12日,於成都新建晶圓廠工程獲成都市政府 1 億美元投資。而該座晶圓廠預計將採用 22 奈米 FDX的製程,將於 2018 年 3 月前完成建廠工程。[3]

2017年8月15日,宣布採用高效能 14 奈米 FinFET 製程技術的 FX-14 特定應用積體電路(ASIC)整合設計系統,進入先進晶圓封裝的領域。[4]

2018年8月28日,宣布將無限期暫停7奈米製程研發,將人力物力轉至14與12奈米製程研發上。[5]

2019年1月31日,以2.36億美元的價格將新加坡的Fab 3E 8英寸晶圓廠賣給世界先進。

2019年4月23日,以4.3億美元的價格將美國紐約州的12吋Fab 10晶圓廠賣給安森美半導體

2019年5月22日,以7.4億美元的價格將旗下ASIC子公司Avera Semiconductor賣給marvell

2019年8月14日,將光罩業務賣給日本凸版公司

晶圓廠

公司除會生產AMD產品外,也有其他公司,如IBM安謀國際科技(ARM)、博通(Broadcom)、英伟达(NVIDIA)、高通(Qualcomm)、意法半導體(STMicroelectronics)、德州儀器(TI)等晶圓代工製造業務的合作。現時投產中的晶圓廠,12吋的位於德國德累斯頓的一廠(Fab 1,即原AMD的Fab 36和Fab 38),位於美國紐約州中馬爾他(Malta)的八廠(Fab 8)和East Fishkill的十厂(Fab10)(原为IBM的Building 323),以及位于新加坡的七厂(Fab 7)。八吋廠的二厂三厂五厂(Fab 2、3、5)位于新加坡,九厂(Fab9)位于美国佛蒙特州埃塞克斯章克申Essex Junction

300毫米(12吋)晶圓工廠

  • Fab 1:位於德國德勒斯登,佔地364,512平方公尺,是由原AMD最早的晶圓廠Fab 36和Fab 38合併而來,格羅方德成立以後這裡就改名為Fab 1 - Module 1,後來也將就近的原AMD Fab 30也合併至Fab 1 - Module 2廠區,每個廠區300毫米晶圓的產能可達每月可產出25,000塊以上。Module 1 廠區主要以40奈米、28奈米BULK製程工藝和22奈米FDSOI製程工藝為主;Module 2 廠區原本以製造200毫米晶圓為主,後來也轉為製造300毫米晶圓,以45奈米及更老的製程為主。2016年9月格羅方德宣布Fab 1 的12奈米FDSOI製程工藝已經流片成功。[6]預計2019年上半年可接收訂單進行量產。
  • Fab 7:位於新加坡兀蘭,收購新加坡的特許半導體Chartered Semiconductor而來。本廠以130奈米至40奈米製程、BULK和SOI工藝為主,每月的晶圓產能可達50,000塊/300毫米晶圓(或112,500塊/200毫米晶圓)。
  • Fab 8:位於美國紐約馬耳他薩拉托加的盧瑟森林科技園區Luther Forest Technology Campus,自2009年6月開始興建,2012年投入生產,是格羅方德自AMD分離以後興建的廠區裡面最大也是最新進的,主要製造300毫米晶圓,以14奈米製程節點、FinFET工藝為主。GlobalFoundries Saratoga County, New York, USA 互联网档案馆存檔,存档日期10 March 2009.</ref>每月的晶圓產量可達60,000塊/300毫米晶圓(或135,000塊/200毫米晶圓),以28奈米製程和14奈米製程為主,其中14奈米製程的技術是與三星電子旗下的晶圓廠合作。2016年9月,格羅方德宣布為該廠投入數十億美元開發 7 奈米製程,採用FinFET、極紫光刻工藝,並預計2018年下半年可投產。[7][8]
  • Fab 10:位於美國紐約東菲什基爾[9],前IBM的Building 323,由收購IBM微電子事業部而來,以22奈米節點工藝為主。2019年4月,安森美半导体宣布收购Fab 10。
  • Fab 11:位於中國大陸四川成都,正在建造中。本廠將以180奈米/130奈米、22奈米FDX工藝為主,本預計2018年可投入生產,產能預計每月20,000塊,遠期計劃達到85,000塊/月。 目前 Phase 1: 20,000/M (2018Y, tools from SG FAB, 主要是Epi &Ar wafer; 因為市場不如預期, 已經停工裁員; 被員工爆料晶圓廠內根本沒有設備。並未引進 FD-SOI的 22nm製程,只能做 40 nm製程; 目前這座 12吋廠只有進行到第一期工程結束,廠內都是使用從新加坡廠轉移過來的技術跟設備,該新加坡廠是 2010年收購的特許半導體旗下的晶圓廠,留下的都是一些老舊、甚至已經淘汰的二手設備。受制於這些設備與技術,這座12吋廠實務上只能作到 40 nm的製程,而且產線人員也才剛送到新加坡進行培訓結束── 該晶圓廠根本尚未開始、也無法進行量產; Phase 2: 88,000/M (2019Y, FDSOI), 有業務團隊, 等客戶群夠 ,就會將機台move in; FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On Insulator)製程與主流的 FinFET (Fin Field-Effect Transistor)製程都是半導體產業中可量產的電晶體技術,其中 FinFET元件主要用於高性能元件,像是 GPU和 CPU,例如台積電的主流製程均採用 FinFET。

200毫米(8吋)晶圓工廠

除了Fab 9,其餘的均為收購特許半導體而來。

  • Fab 2:位於新加坡兀蘭。本廠以600至350奈米製程為主,代工產品以汽車電子IC、大功率高電壓IC以及類比-數位混合信號IC為主。
  • Fab 3 和 Fab 5:位於新加坡兀蘭。本廠以350奈米至180奈米製程為主,代工產品主要是小型顯示面板驅動器的高電壓IC、行動型電源管理模組。
  • Fab 3E:位於新加坡淡滨尼。本廠主要製造180奈米製程的晶圓,代工產品以汽車電子IC、高電壓電源管理IC和帶有非易失性記憶體的嵌入式混合信號IC為主。
  • Fab 6:位於新加坡兀蘭。本廠主要製造180奈米製程的晶圓,代工產品以高整合度CMOS元件和射頻CMOS(RFCMOS)產品為主,像是Wi-Fi、藍牙控制晶片。

參考文獻

  1. 半導體大廠競插旗中國 格羅方德與重慶合資12吋廠. 中時電子報. 2016-06-01. 
  2. 格羅方德 成都打造晶圓廠. 中時電子報. 2017-02-11. 
  3. 格羅方德於成都新建晶圓廠工程獲成都市政府 1 億美元投資. TechNews. 2017-06-12. 
  4. 繼台積電之後,格羅方德宣布成功進入先進晶圓封裝領域. TechNews. 2017-08-15. 
  5. 〈晶圓先進製程競賽〉格羅方德退出7奈米 台積電股價大漲創近5月新高. 鉅亨網News. 2018-08-28. 
  6. Kampman, Jeff. GlobalFoundries adds a 12-nm node to its FD-SOI roadmap. TechReport. 8 September 2016 [16 September 2016]. 
  7. Shilov, Anton. GlobalFoundaries Updates Roadmap. Anandtech. 3 October 2016 [3 October 2016]. 
  8. Kampman, Jeff. GlobalFoundries skips the 10-nm node on the way to 7-nm FinFETs. TechReport. 15 September 2016 [16 September 2016]. 
  9. 9.0 9.1 Jim Doyle. [6 August 2015].