格羅方德檢視原始碼討論檢視歷史

格羅方德 Global Foundries 公司類型　　子公司 成立　　　　2009年3月2日 總部　　　　美國加利福尼亞州聖克拉拉 產業　　　　半導體晶圓廠 產品　　　　晶圓 母公司　　　先進技術投資公司 官方網站　　www.globalfoundries.com

格羅方德半導體股份有限公司(Global Foundries)是一家總部位於美國加州硅谷桑尼維爾市的半導體晶圓代工廠商, 成立於2009年3月 。格羅方德半導體股份有限公司由AMD拆分而來、與阿聯酋阿布扎比先進技術投資公司(ATIC)和穆巴達拉發展公司(Mubadala)聯合投資成立的半導體製造企業。 GLOBALFOUNDRIES旗下擁有德國德累斯頓、美國奧斯汀和紐約州(建設中)等多座工廠，員工總數約18000人 ，領導團隊包括首席執行官湯姆∙嘉菲爾德(Dr. Thomas Caulfield) 、首席財務官Doug Devine 、首席法務官Saam Azar ，首席技術官Gary Patton 等。

成立歷史

格羅方德成立於2009年3月2日，是從美國AMD公司製造部門分拆出。母公司分別為AMD及阿布達比主權財富基金阿布達比創投旗下的先進技術投資公司（Advanced Technology Investment Company；簡稱ATIC），其中ATIC佔公司股權65.8%，兩公司均享有均等投票權。

2010年1月13日，格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）收購新加坡特許半導體。

2011年3月6日，ATIC以4.25億美元收購AMD擁有的格羅方德半導體股份餘下的8.8%的股份，成為一家獨立的晶片製造商，使得ATIC成為格羅方德的唯一持股者。

2013年，位於美國紐約州的八廠投入運營。AMD對該廠擁有14%的股份。

2014年10月20日，IBM正式宣布邀請格羅方德收購其晶片製造業務，並將在未來3年支付格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）現金15億美元。

2016年5月31日，宣布將與重慶官方合資設立12吋晶圓廠，由重慶市官方提供土地與中國中航航空電子系統的廠房，而格羅方德則負責技術升級，將現有的8吋晶圓廠升級為12吋晶圓。

2017年2月10日，宣布在中國四川省成都高新區建造12吋晶圓生產項目，投資規模預計超過100億美元，將成為中國西南部首條12吋晶圓生產線。

2017年6月12日，於成都新建晶圓廠工程獲成都市政府 1 億美元投資。而該座晶圓廠預計將採用 22 奈米 FDX的製程，將於 2018 年 3 月前完成建廠工程。

2017年8月15日，宣布採用高效能 14 奈米 FinFET 製程技術的 FX-14 特定應用積體電路（ASIC）整合設計系統，進入先進晶圓封裝的領域。

2018年8月28日，宣布將無限期暫停7奈米製程研發，將人力物力轉至14與12奈米製程研發上。

2019年1月31日，以2.36億美元的價格將新加坡的Fab 3E 8英寸晶圓廠賣給世界先進。

2019年4月23日，以4.3億美元的價格將美國紐約州的12吋Fab 10晶圓廠賣給安森美半導體。

2019年5月22日，以7.4億美元的價格將旗下ASIC子公司Avera Semiconductor賣給marvell。

2019年8月14日，將光罩業務賣給日本凸版公司

晶圓廠

公司除會生產AMD產品外，也有其他公司，如IBM、安謀國際科技（ARM）、博通（Broadcom）、英偉達（NVIDIA）、高通（Qualcomm）、意法半導體（STMicroelectronics）、德州儀器（TI）等晶圓代工製造業務的合作。現時投產中的晶圓廠，12吋的位於德國德累斯頓的一廠（Fab 1，即原AMD的Fab 36和Fab 38），位於美國紐約州中馬爾他（Malta）的八廠(Fab 8）和East Fishkill的十廠（Fab10）（原為IBM的Building 323），以及位於新加坡的七廠（Fab 7）。八吋廠的二廠三廠五廠（Fab 2、3、5）位於新加坡，九廠（Fab9）位於美國佛蒙特州的埃塞克斯章克申。

300毫米（12吋）晶圓工廠

• Fab 1：位於德國德勒斯登，佔地364,512平方公尺，是由原AMD最早的晶圓廠Fab 36和Fab 38合併而來，格羅方德成立以後這裡就改名為Fab 1 - Module 1，後來也將就近的原AMD Fab 30也合併至Fab 1 - Module 2廠區，每個廠區300毫米晶圓的產能可達每月可產出25,000塊以上。Module 1 廠區主要以40奈米、28奈米BULK製程工藝和22奈米FDSOI製程工藝為主；Module 2 廠區原本以製造200毫米晶圓為主，後來也轉為製造300毫米晶圓，以45奈米及更老的製程為主。2016年9月格羅方德宣布Fab 1 的12奈米FDSOI製程工藝已經流片成功。預計2019年上半年可接收訂單進行量產。

• Fab 7：位於新加坡兀蘭，收購新加坡的特許半導體而來。本廠以130奈米至40奈米製程、BULK和SOI工藝為主，每月的晶圓產能可達50,000塊/300毫米晶圓（或112,500塊/200毫米晶圓）。

• Fab 8：位於美國紐約馬耳他薩拉托加的盧瑟森林科技園區，自2009年6月開始興建，2012年投入生產，是格羅方德自AMD分離以後興建的廠區裡面最大也是最新進的，主要製造300毫米晶圓，以14奈米製程節點、FinFET工藝為主。GlobalFoundries Saratoga County, New York, USA 網際網路檔案館的存檔，存檔日期10 March 2009.</ref>每月的晶圓產量可達60,000塊/300毫米晶圓（或135,000塊/200毫米晶圓），以28奈米製程和14奈米製程為主，其中14奈米製程的技術是與三星電子旗下的晶圓廠合作。2016年9月，格羅方德宣布為該廠投入數十億美元開發 7 奈米製程，採用FinFET、極紫光刻工藝，並預計2018年下半年可投產。

• Fab 10：位於美國紐約東菲什基爾，前IBM的Building 323，由收購IBM微電子事業部而來，以22奈米節點工藝為主。2019年4月，安森美半導體宣布收購Fab 10。

• Fab 11：位於中國大陸四川成都，正在建造中。本廠將以180奈米/130奈米、22奈米FDX工藝為主，本預計2018年可投入生產，產能預計每月20,000塊，遠期計劃達到85,000塊/月。 目前 Phase 1: 20,000/M (2018Y, tools from SG FAB, 主要是Epi &Ar wafer; 因為市場不如預期, 已經停工裁員; 被員工爆料晶圓廠內根本沒有設備。並未引進 FD-SOI的 22nm製程，只能做 40 nm製程; 目前這座 12吋廠只有進行到第一期工程結束，廠內都是使用從新加坡廠轉移過來的技術跟設備，該新加坡廠是 2010年收購的特許半導體旗下的晶圓廠，留下的都是一些老舊、甚至已經淘汰的二手設備。受制於這些設備與技術，這座12吋廠實務上只能作到 40 nm的製程，而且產線人員也才剛送到新加坡進行培訓結束── 該晶圓廠根本尚未開始、也無法進行量產; Phase 2: 88,000/M (2019Y, FDSOI), 有業務團隊, 等客戶群夠 ,就會將機台move in; FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On Insulator)製程與主流的 FinFET (Fin Field-Effect Transistor)製程都是半導體產業中可量產的電晶體技術，其中 FinFET元件主要用於高性能元件，像是 GPU和 CPU，例如台積電的主流製程均採用 FinFET。
  

200毫米（8吋）晶圓工廠

除了Fab 9，其餘的均為收購特許半導體而來。

• Fab 2：位於新加坡兀蘭。本廠以600至350奈米製程為主，代工產品以汽車電子IC、大功率高電壓IC以及類比-數位混合信號IC為主。

• Fab 3 和 Fab 5：位於新加坡兀蘭。本廠以350奈米至180奈米製程為主，代工產品主要是小型顯示面板驅動器的高電壓IC、行動型電源管理模組。

• Fab 3E：位於新加坡淡濱尼。本廠主要製造180奈米製程的晶圓，代工產品以汽車電子IC、高電壓電源管理IC和帶有非易失性記憶體的嵌入式混合信號IC為主。

• Fab 6：位於新加坡兀蘭。本廠主要製造180奈米製程的晶圓，代工產品以高整合度CMOS元件和射頻CMOS（RFCMOS）產品為主，像是Wi-Fi、藍牙控制晶片。

• Fab 9：位於美國費蒙特伯靈頓埃塞克斯章克申，由收購IBM微電子事業部而來。本廠以90奈米節點工藝為主，7奈米製程工藝也在本廠開發部署；本廠有一個自有、開放第三方客戶代工業務的掩模工廠，也是佛蒙特州最大的私人僱主。