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金氧半电容(金属氧化物半导体电容或 Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor 或 MOSC)是一种常见的两端控制的半导体元件，

简介

金氧半电容在1960年代已在实验室被实做出来。金氧半电容是由金属作为闸极(虽然在工艺界常用多晶硅，近年来才改为金属)，在金属和半导体间以氧化物作为介电层以绝缘，氧化物通常是二氧化硅(SiO2)，因为二氧化硅可以直接由常见的硅基板通过加热生长，所得的界面陷阱()interface states特性也会比较好。半导体的部分通常是硅，也就是常说的硅晶圆，目前一些三五族材料也被用于金氧半元件的基板中以改进载子的传输特性。