金氧半電容檢視原始碼討論檢視歷史

金氧半電容(金屬氧化物半導體電容或 Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor 或 MOSC)是一種常見的兩端控制的半導體元件，

簡介

金氧半電容在1960年代已在實驗室被實做出來。金氧半電容是由金屬作為閘極(雖然在工藝界常用多晶硅，近年來才改為金屬)，在金屬和半導體間以氧化物作為介電層以絕緣，氧化物通常是二氧化硅(SiO2)，因為二氧化硅可以直接由常見的硅基板通過加熱生長，所得的界面陷阱()interface states特性也會比較好。半導體的部分通常是硅，也就是常說的硅晶圓，目前一些三五族材料也被用於金氧半元件的基板中以改進載子的傳輸特性。