化合物半導體集成電路
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化合物半導體集成電路是將晶體管、二極管等有源元件和電阻器、電容器等無源元件，按照一定的電路互連，「集成」在一塊半導體單晶（主要是硅單晶）片上。
- 中文名:化合物半導體集成電路
- 方 法:按照一定的電路互連
目錄
類別
集成電路如果以構成它的電路基礎的晶體管來區分,有雙極型集成電路和MOS集成電路兩類。前者以雙極結型平面晶體管為主要器件，後者以MOS場效應晶體管為基礎。一般說來，雙極型集成電路優點是速度比較快，缺點是集成度較低,功耗較大；而MOS集成電路則由於MOS器件的自身隔離，工藝較簡單，集成度較高,功耗較低，缺點是速度較慢。近來在發揮各自優勢，克服自身缺點的發展中，已出現了各種新的器件和電路結構。
集成電路按電路功能分，可以有以門電路為基礎的數學邏輯電路和以放大器為基礎的線性電路。後者由於半導體襯底和工作元件之間存在着有害的相互作用，發展較前者慢。同時應用於微波的微波集成電路和從Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體激光器和光纖維導管為基礎的光集成電路也正在發展之中。
半導體集成電路除以硅為基礎的材料外，砷化鎵也是重要的材料，以它為基礎材料製成的集成電路，其工作速度可比硅集成電路高一個數量級，有着廣闊的發展前景。
厚膜電路與薄膜電路
發展前景
化合物半導體集成電路產業一方面面臨着市場景氣欠佳的困難，另一方面同時又面臨着硅CMOS、BiCMOS的激烈競爭。化合物半導體集成電路產業的前景怎樣？這是業內外人士普遍關心的問題。
分析產業發展前景主要應考慮市場機遇。我們認為化合物半導體集成電路產業面臨着四個有利機遇。其中第一個機遇是移動通信技術正在不斷朝有利於化合物半導體集成電路的方向發展。二代半（2.5G）技術正在逐漸成為移動通信技術的主流，同時正在逐漸向第三代過渡。由於二代半技術對功放的效率和散熱有更高的要求，所以這對砷化鎵有利。三代技術要求更高的工作頻率，更寬的帶寬和高線性，這也是對砷化鎵和鍺硅技術有利的。第四代（4G）的概念已明確提出來了。四代技術對手機有更高要求。它要求手機在樓內可接入無線局域網[1] （WLAN），即可工作到2.4GHz和5.8GHz，在室外可在二代、二代半、三代等任意制式下工作。因此這是一種多功能、多頻段、多模式的移動終端。從系統小巧來說，當然會希望實現單芯片集成（SOC），但單一的硅技術無法在那麼多功能和模式上都達到性能最優。要把各種優化性能的功能集成在一起，只能用系統級封裝（SIP），即在同一封裝中用硅、鍺硅、砷化鎵等不同工藝來優化實現不同功能，這就為砷化鎵和鍺硅的不斷發揮優勢帶來了新的機遇。
第二個機遇來自消費類電子，全球的Wi－Fi市場方興未艾，家用電子產品裝備無線控制和數據連接的比例越來越高，音視頻裝置日益無線化。再加上筆記本電腦的日益普及，這類產品的市場為鍺硅集成電路的應用帶來了新機遇。
第三個機遇來自新一代的光纖通信技術。儘管光纖通信市場非常蕭條，但新一代的40GBPS光通信設備不久肯定會開始裝備，10GBPS的光通信設備會代替原有的2.5GBPS設備投入大量使用。而這些設備中將大量使用磷化甸、砷化鎵、鍺硅等化合物半導體集成電路。
第四個機遇來自汽車電子，汽車防撞雷達已在很多高檔車上得到了實用，將來肯定會越來越普及。由於汽車防撞雷達一般工作在毫米波段，所以肯定離不開砷化鎵甚至磷化銦，它的中頻部分會用到鍺硅，由於全球汽車工業十分龐大，所以這是一個早晚必定會發生的巨大市場。
總之，化合物半導體集成電路產業的不斷發展是不容置疑的。中國大陸化合物半導體集成電路產業的建設和發展也只是個時間問題。
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