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半导体用光掩模专用稀土抛光粉的研制
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{| class="wikitable" align="right" |- |<center><img src=http://5b0988e595225.cdn.sohucs.com/images/20190419/475508b7a82348269fd5641eb1a704f6.jpeg width="300"></center> <small>[https://www.sohu.com/a/309113292_120054299 来自 搜狐网 的图片]</small> |} '''半导体用光掩模专用稀土抛光粉的研制'''在[[半导体]]制造的整个流程中,其中一部分就是从版图到晶片制造中间的一个过程,即光掩膜制造。 ==1、技术背景和意义== 在半导体制造的整个流程中,其中一部分就是从版图到晶片制造中间的一个过程,即光掩膜[[制造]]。光掩膜质量的好坏和其玻璃基板的平坦度有着极为密切的关系,玻璃基板的抛光过程是流程衔接的关键部分,是流程中最基础的一部分,也是限制最小线宽的瓶颈之一。因此,对稀土研磨材料进行改进、开发、生产用于半导体光掩模用的稀土抛光粉,具有重要意义。 ==2、技术原理、技术要点== 通过选用碳酸稀土<ref>[https://www.sohu.com/na/472701174_121044566 稀土是什么?有什么用途?为什么有人说稀土是工业的“味精”?],搜狐,2021-06-18</ref>为原料,将其转化成可热分解为纳米晶包的前驱体。对新前驱原料的热分解过程进行跟踪监测,对采集数据进行分析,研究其工艺条件与抛光粉微观结构和抛光性能,建立焙烧工艺条件与抛光性能相关关系,并进行了[[工业]]实验,形成一套完整的新型稀土抛光粉的制备新工艺,科技创新点如下: (1)新型稀土抛光粉前驱体的选择、制备与新[[工艺]]的开发,能够稳定的控制抛光粉前驱体; (2)对新型前驱体原料热分解过程中微观结构参数的清晰认识; (3)明确了微观结构与新型稀土抛光材料[[物理]]性能的关系,深入研究分析了抛光粉物相转变特征及晶粒形成过程。 工艺技术方面:在砂磨、合成工序,料浆浓度,搅拌速度、搅拌时间、料浆循环速度、反应时间、合成时搅拌速度,这些参数的确定为该工序中合成物的物相、料浆最终粒度大小和分布有直接的影响。在干燥、焙烧工序,进料量、进料速度、干燥温度、干燥时间、窑的转速、升温梯度、恒温[[温度]]、恒温时间这些参数的确定对原料分解程度、新物相形成快慢、一次单晶生长状况、二次再结晶程度、孔隙率、烧结颈大小有直接的影响。在粉碎、分级工序,空气流量、空气压力、配风、机头工作件的调控会对二次颗粒的大小和分布造成直接影响。 ==3. 应用情况及效果== 2012~2016年累计产品[[销售]]收入超过2亿元。此技术的开发促进了我国半导体光掩膜制造工艺的发展,对提升我国半导体工业的竞争力起到积极作用。 对稀土工业而言,半导体<ref>[https://www.sohu.com/a/458573868_120975791 半导体是如何分类的] ,搜狐,2021-04-02 </ref>用稀土抛光粉的成功开发,有效的改善了我国抛光粉企业的产品结构,对提升我国稀土产品的附加值,提升稀土研究领域的[[技术]]水平,都将发挥重要作用。 ==参考文献== [[Category:500 社會科學類]]
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