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半導體用光掩模專用稀土拋光粉的研製在半導體製造的整個流程中，其中一部分就是從版圖到晶片製造中間的一個過程，即光掩膜製造。

1、技術背景和意義

在半導體製造的整個流程中，其中一部分就是從版圖到晶片製造中間的一個過程，即光掩膜製造。光掩膜質量的好壞和其玻璃基板的平坦度有着極為密切的關係，玻璃基板的拋光過程是流程銜接的關鍵部分，是流程中最基礎的一部分，也是限制最小線寬的瓶頸之一。因此，對稀土研磨材料進行改進、開發、生產用於半導體光掩模用的稀土拋光粉，具有重要意義。

2、技術原理、技術要點

通過選用碳酸稀土為原料，將其轉化成可熱分解為納米晶包的前驅體。對新前驅原料的熱分解過程進行跟蹤監測，對採集數據進行分析，研究其工藝條件與拋光粉微觀結構和拋光性能，建立焙燒工藝條件與拋光性能相關關係，並進行了工業實驗，形成一套完整的新型稀土拋光粉的製備新工藝，科技創新點如下：

（1）新型稀土拋光粉前驅體的選擇、製備與新工藝的開發，能夠穩定的控制拋光粉前驅體；

（2）對新型前驅體原料熱分解過程中微觀結構參數的清晰認識；

（3）明確了微觀結構與新型稀土拋光材料物理性能的關係，深入研究分析了拋光粉物相轉變特徵及晶粒形成過程。

工藝技術方面：在砂磨、合成工序，料漿濃度，攪拌速度、攪拌時間、料漿循環速度、反應時間、合成時攪拌速度，這些參數的確定為該工序中合成物的物相、料漿最終粒度大小和分布有直接的影響。在乾燥、焙燒工序，進料量、進料速度、乾燥溫度、乾燥時間、窯的轉速、升溫梯度、恆溫溫度、恆溫時間這些參數的確定對原料分解程度、新物相形成快慢、一次單晶生長狀況、二次再結晶程度、孔隙率、燒結頸大小有直接的影響。在粉碎、分級工序，空氣流量、空氣壓力、配風、機頭工作件的調控會對二次顆粒的大小和分布造成直接影響。

3. 應用情況及效果

2012～2016年累計產品銷售收入超過2億元。此技術的開發促進了我國半導體光掩膜製造工藝的發展，對提升我國半導體工業的競爭力起到積極作用。

對稀土工業而言，半導體用稀土拋光粉的成功開發，有效的改善了我國拋光粉企業的產品結構，對提升我國稀土產品的附加值，提升稀土研究領域的技術水平，都將發揮重要作用。