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格罗方德 Global Foundries 公司类型　　子公司 成立　　　　2009年3月2日 总部　　　　美国加利福尼亚州圣克拉拉 产业　　　　半导体晶圆厂 产品　　　　晶圆 母公司　　　先进技术投资公司 官方网站　　www.globalfoundries.com

格罗方德半导体股份有限公司(Global Foundries)是一家总部位于美国加州硅谷桑尼维尔市的半导体晶圆代工厂商, 成立于2009年3月 。格罗方德半导体股份有限公司由AMD拆分而来、与阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)和穆巴达拉发展公司(Mubadala)联合投资成立的半导体制造企业。 GLOBALFOUNDRIES旗下拥有德国德累斯顿、美国奥斯汀和纽约州(建设中)等多座工厂，员工总数约18000人 ，领导团队包括首席执行官汤姆∙嘉菲尔德(Dr. Thomas Caulfield) 、首席财务官Doug Devine 、首席法务官Saam Azar ，首席技术官Gary Patton 等。

成立历史

格罗方德成立于2009年3月2日，是从美国AMD公司制造部门分拆出。母公司分别为AMD及阿布达比主权财富基金阿布达比创投旗下的先进技术投资公司（Advanced Technology Investment Company；简称ATIC），其中ATIC占公司股权65.8%，两公司均享有均等投票权。

2010年1月13日，格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）收购新加坡特许半导体。

2011年3月6日，ATIC以4.25亿美元收购AMD拥有的格罗方德半导体股份馀下的8.8%的股份，成为一家独立的晶片制造商，使得ATIC成为格罗方德的唯一持股者。

2013年，位于美国纽约州的八厂投入运营。AMD对该厂拥有14%的股份。

2014年10月20日，IBM正式宣布邀请格罗方德收购其晶片制造业务，并将在未来3年支付格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）现金15亿美元。

2016年5月31日，宣布将与重庆官方合资设立12吋晶圆厂，由重庆市官方提供土地与中国中航航空电子系统的厂房，而格罗方德则负责技术升级，将现有的8吋晶圆厂升级为12吋晶圆。

2017年2月10日，宣布在中国四川省成都高新区建造12吋晶圆生产项目，投资规模预计超过100亿美元，将成为中国西南部首条12吋晶圆生产线。

2017年6月12日，于成都新建晶圆厂工程获成都市政府 1 亿美元投资。而该座晶圆厂预计将采用 22 奈米 FDX的制程，将于 2018 年 3 月前完成建厂工程。

2017年8月15日，宣布采用高效能 14 奈米 FinFET 制程技术的 FX-14 特定应用积体电路（ASIC）整合设计系统，进入先进晶圆封装的领域。

2018年8月28日，宣布将无限期暂停7奈米制程研发，将人力物力转至14与12奈米制程研发上。

2019年1月31日，以2.36亿美元的价格将新加坡的Fab 3E 8英寸晶圆厂卖给世界先进。

2019年4月23日，以4.3亿美元的价格将美国纽约州的12吋Fab 10晶圆厂卖给安森美半导体。

2019年5月22日，以7.4亿美元的价格将旗下ASIC子公司Avera Semiconductor卖给marvell。

2019年8月14日，将光罩业务卖给日本凸版公司

晶圆厂

公司除会生产AMD产品外，也有其他公司，如IBM、安谋国际科技（ARM）、博通（Broadcom）、英伟达（NVIDIA）、高通（Qualcomm）、意法半导体（STMicroelectronics）、德州仪器（TI）等晶圆代工制造业务的合作。现时投产中的晶圆厂，12吋的位于德国德累斯顿的一厂（Fab 1，即原AMD的Fab 36和Fab 38），位于美国纽约州中马尔他（Malta）的八厂(Fab 8）和East Fishkill的十厂（Fab10）（原为IBM的Building 323），以及位于新加坡的七厂（Fab 7）。八吋厂的二厂三厂五厂（Fab 2、3、5）位于新加坡，九厂（Fab9）位于美国佛蒙特州的埃塞克斯章克申。

300毫米（12吋）晶圆工厂

• Fab 1：位于德国德勒斯登，占地364,512平方公尺，是由原AMD最早的晶圆厂Fab 36和Fab 38合并而来，格罗方德成立以后这里就改名为Fab 1 - Module 1，后来也将就近的原AMD Fab 30也合并至Fab 1 - Module 2厂区，每个厂区300毫米晶圆的产能可达每月可产出25,000块以上。Module 1 厂区主要以40奈米、28奈米BULK制程工艺和22奈米FDSOI制程工艺为主；Module 2 厂区原本以制造200毫米晶圆为主，后来也转为制造300毫米晶圆，以45奈米及更老的制程为主。2016年9月格罗方德宣布Fab 1 的12奈米FDSOI制程工艺已经流片成功。预计2019年上半年可接收订单进行量产。

• Fab 7：位于新加坡兀兰，收购新加坡的特许半导体而来。本厂以130奈米至40奈米制程、BULK和SOI工艺为主，每月的晶圆产能可达50,000块/300毫米晶圆（或112,500块/200毫米晶圆）。

• Fab 8：位于美国纽约马耳他萨拉托加的卢瑟森林科技园区，自2009年6月开始兴建，2012年投入生产，是格罗方德自AMD分离以后兴建的厂区里面最大也是最新进的，主要制造300毫米晶圆，以14奈米制程节点、FinFET工艺为主。GlobalFoundries Saratoga County, New York, USA 互联网档案馆的存档，存档日期10 March 2009.</ref>每月的晶圆产量可达60,000块/300毫米晶圆（或135,000块/200毫米晶圆），以28奈米制程和14奈米制程为主，其中14奈米制程的技术是与三星电子旗下的晶圆厂合作。2016年9月，格罗方德宣布为该厂投入数十亿美元开发 7 奈米制程，采用FinFET、极紫光刻工艺，并预计2018年下半年可投产。

• Fab 10：位于美国纽约东菲什基尔，前IBM的Building 323，由收购IBM微电子事业部而来，以22奈米节点工艺为主。2019年4月，安森美半导体宣布收购Fab 10。

• Fab 11：位于中国大陆四川成都，正在建造中。本厂将以180奈米/130奈米、22奈米FDX工艺为主，本预计2018年可投入生产，产能预计每月20,000块，远期计划达到85,000块/月。 目前 Phase 1: 20,000/M (2018Y, tools from SG FAB, 主要是Epi &Ar wafer; 因为市场不如预期, 已经停工裁员; 被员工爆料晶圆厂内根本没有设备。并未引进 FD-SOI的 22nm制程，只能做 40 nm制程; 目前这座 12吋厂只有进行到第一期工程结束，厂内都是使用从新加坡厂转移过来的技术跟设备，该新加坡厂是 2010年收购的特许半导体旗下的晶圆厂，留下的都是一些老旧、甚至已经淘汰的二手设备。受制于这些设备与技术，这座12吋厂实务上只能作到 40 nm的制程，而且产线人员也才刚送到新加坡进行培训结束── 该晶圆厂根本尚未开始、也无法进行量产; Phase 2: 88,000/M (2019Y, FDSOI), 有业务团队, 等客户群够 ,就会将机台move in; FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On Insulator)制程与主流的 FinFET (Fin Field-Effect Transistor)制程都是半导体产业中可量产的电晶体技术，其中 FinFET元件主要用于高性能元件，像是 GPU和 CPU，例如台积电的主流制程均采用 FinFET。
  

200毫米（8吋）晶圆工厂

除了Fab 9，其馀的均为收购特许半导体而来。

• Fab 2：位于新加坡兀兰。本厂以600至350奈米制程为主，代工产品以汽车电子IC、大功率高电压IC以及类比-数位混合信号IC为主。

• Fab 3 和 Fab 5：位于新加坡兀兰。本厂以350奈米至180奈米制程为主，代工产品主要是小型显示面板驱动器的高电压IC、行动型电源管理模组。

• Fab 3E：位于新加坡淡滨尼。本厂主要制造180奈米制程的晶圆，代工产品以汽车电子IC、高电压电源管理IC和带有非易失性记忆体的嵌入式混合信号IC为主。

• Fab 6：位于新加坡兀兰。本厂主要制造180奈米制程的晶圆，代工产品以高整合度CMOS元件和射频CMOS（RFCMOS）产品为主，像是Wi-Fi、蓝牙控制晶片。

• Fab 9：位于美国费蒙特伯灵顿埃塞克斯章克申，由收购IBM微电子事业部而来。本厂以90奈米节点工艺为主，7奈米制程工艺也在本厂开发部署；本厂有一个自有、开放第三方客户代工业务的掩模工厂，也是佛蒙特州最大的私人雇主。