碳化硅器件工艺核心技术查看源代码讨论查看历史

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《碳化硅器件工艺核心技术》，[希] 康斯坦丁·泽肯特斯，[英] 康斯坦丁·瓦西列夫斯基 著，出版社： 机械工业出版社。

机械工业出版社成立于1950年，是建国后国家设立的第一家科技出版社，前身为科学技术出版社，1952年更名为机械工业出版社。机械工业出版社（以下简称机工社）由机械工业信息研究院作为主办单位，目前隶属于国务院国资委。

内容简介

《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。

《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。

作者介绍

Konstantinos Zekentes，希腊研究与技术基金会(FORTH)微电子研究小组(MRG)高级研究员，以及微电子电磁与光子等实验室访问研究员。他目前工作的内容是SiC相关技术，开发用于制作高功率/高频器件以及SiC基一维器件。Zekentes博士拥有超过170篇期刊和会议论文以及1项美国专利。

Konstantin Vasilevskiy，英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员。他目前的研究领域是宽禁带半导体技术，以及石墨烯生长和表征技术。Vasilevskiy博士撰写了3本著作，在相关期刊和会议论文集中发表论文114篇。他是4本书的合编者，也是宽禁带半导体技术领域16项专利的共同发明人。