碳化硅器件工藝核心技術檢視原始碼討論檢視歷史

來自 孔夫子網 的圖片

《碳化硅器件工藝核心技術》，[希] 康斯坦丁·澤肯特斯，[英] 康斯坦丁·瓦西列夫斯基 著，出版社： 機械工業出版社。

機械工業出版社成立於1950年，是建國後國家設立的第一家科技出版社，前身為科學技術出版社，1952年更名為機械工業出版社。機械工業出版社（以下簡稱機工社）由機械工業信息研究院作為主辦單位，目前隸屬於國務院國資委。

內容簡介

《碳化硅器件工藝核心技術》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質製備等關鍵工藝技術，以及高功率SiC單極和雙極開關器件、SiC納米結構的製造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關文獻，以反映這些方面的最新成果和發展趨勢。

《碳化硅器件工藝核心技術》可作為理工科院校物理類專業、電子科學與技術專業以及材料科學等相關專業研究生的輔助教材和參考書，也可供相關領域的工程技術人員參考。

作者介紹

Konstantinos Zekentes，希臘研究與技術基金會(FORTH)微電子研究小組(MRG)高級研究員，以及微電子電磁與光子等實驗室訪問研究員。他目前工作的內容是SiC相關技術，開發用於製作高功率/高頻器件以及SiC基一維器件。Zekentes博士擁有超過170篇期刊和會議論文以及1項美國專利。

Konstantin Vasilevskiy，英國紐卡斯爾大學工程學院高級研究員。他目前的研究領域是寬禁帶半導體技術，以及石墨烯生長和表徵技術。Vasilevskiy博士撰寫了3本著作，在相關期刊和會議論文集中發表論文114篇。他是4本書的合編者，也是寬禁帶半導體技術領域16項專利的共同發明人。