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郑立荣 | |
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国籍 | 中国 |
职业 | 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学; |
郑立荣,研究领域是工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学,在中国科学院上海冶金研究所工作。
简介
【姓名】 郑立荣
【职称】
【研究领域】
【研究方向】
【发表文献关键词】
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
学术成果
中国期刊全文数据库 共16篇
[1]曾建明,张苗,高剑侠,宋志棠,郑立荣,王连卫,林成鲁.钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究[J]压电与声光.1999,(02)
[2]曾建明,林成鲁,郑立荣.O~+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究[J]压电与声光.1999,(03)
[3]林成鲁,王连卫,陈向东,沈勤我,郑立荣,倪如山.硅上β-FeSi_2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究[J]光电子·激光.2000,(03)
[4]陈逸清,郑立荣,林成鲁,邹世昌.脉冲准分子激光PZT薄膜的制备[J]中国激光.1994,(08)
[5]陈逸清,郑立荣,张顺开,林成鲁,邹世昌.脉冲准分子激光PZT铁电薄膜沉积及其特性研究[J]科学通报.1995,(01)
[6]郑立荣,陈逸清,林成鲁,邹世昌.新型铁电存贮器和铁电薄膜的脉冲激光沉积[J]物理.1995,(01)
[7]郑立荣,陈逸清,许华平,辛火平,宋世庚,林成鲁.Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积[J]功能材料与器件学报.1995,(02)
[8]郑立荣,陈逸清,张顺开,林成鲁,邹世昌.SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究[J]半导体学报.1996,(03)
[9]郑立荣,林成鲁,许华平,邹世昌,奥山雅则.铁电薄膜的漏电行为及其电滞回线形变[J]中国科学E辑:技术科学.1996,(06)
[10]许华平,郑立荣,陈逸清,林成鲁,邹世昌.集成铁电存储器──新型快速、抗辐照、非挥发性存储器件[J]微电子学与计算机.1996,(01)
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參考資料
1.中国期刊全文数据库