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鄭立榮 | |
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國籍 | 中國 |
職業 | 工業通用技術及設備;物理學;無線電電子學; |
鄭立榮,研究領域是工業通用技術及設備;物理學;無線電電子學,在中國科學院上海冶金研究所工作。
簡介
【姓名】 鄭立榮
【職稱】
【研究領域】
【研究方向】
【發表文獻關鍵詞】
【工作單位】 中國科學院上海冶金研究所
【曾工作單位】 中國科學院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
學術成果
中國期刊全文數據庫 共16篇
[1]曾建明,張苗,高劍俠,宋志棠,鄭立榮,王連衛,林成魯.鈦酸鉍薄膜的室溫脈衝激光沉積研究[J]壓電與聲光.1999,(02)
[2]曾建明,林成魯,鄭立榮.O~+注入SrBi_2Ta_2O_9鐵電薄膜的研究[J]壓電與聲光.1999,(03)
[3]林成魯,王連衛,陳向東,沈勤我,鄭立榮,倪如山.硅上β-FeSi_2的超高真空鍍膜外延及其光學性質研究[J]光電子·激光.2000,(03)
[4]陳逸清,鄭立榮,林成魯,鄒世昌.脈衝準分子激光PZT薄膜的製備[J]中國激光.1994,(08)
[5]陳逸清,鄭立榮,張順開,林成魯,鄒世昌.脈衝準分子激光PZT鐵電薄膜沉積及其特性研究[J]科學通報.1995,(01)
[6]鄭立榮,陳逸清,林成魯,鄒世昌.新型鐵電存貯器和鐵電薄膜的脈衝激光沉積[J]物理.1995,(01)
[7]鄭立榮,陳逸清,許華平,辛火平,宋世庚,林成魯.Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3鐵電薄膜的脈衝準分子激光沉積[J]功能材料與器件學報.1995,(02)
[8]鄭立榮,陳逸清,張順開,林成魯,鄒世昌.SOI上PZT鐵電薄膜的脈衝準分子激光沉積及其快速退火研究[J]半導體學報.1996,(03)
[9]鄭立榮,林成魯,許華平,鄒世昌,奧山雅則.鐵電薄膜的漏電行為及其電滯回線形變[J]中國科學E輯:技術科學.1996,(06)
[10]許華平,鄭立榮,陳逸清,林成魯,鄒世昌.集成鐵電存儲器──新型快速、抗輻照、非揮發性存儲器件[J]微電子學與計算機.1996,(01)
相關視頻
04-基於SKChain技術架構的應用創新(鄭立榮)
參考資料
1.中國期刊全文數據庫