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| 龚海梅 |
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龚海梅，男，1965年10月出生，江苏海门人，1986年毕业于中国科学技术大学物理系，1989和1993年在中国科学院上海技术物理研究所分获理学硕士和博士学位，师从汤定元院士和方家熊院士，1998.11-2000.1美国国家标准和技术研究院客座研究员，从事大面积长波红外探测器空间和角响应分布均匀性、红外材料散射及其BRDF特性研究。现任中国科学院上海技术物理研究所党委书记[1] 。
基本信息
人物说明----中国科学院上海技术物理研究所党委书记
民 族 ---- 汉族
出生日期----1965年10月
出生地点----江苏海门
国 籍 ---- 中国
职 业 ---- 科研工作者
主要成就----国家自然科学二等奖，上海市科技进步一等奖，国防科工委国防科技进步三等奖
毕业院校----中国科学技术大学
职 称 ---- 研究员
个人简历
1993.4~1994.10,中国科学院上海技术物理研究所助研，课题组长，副主管设计师
1994.10~1997.9，中国科学院上海技术物理研究所副研究员，课题组长，主管设计师
1997年起任，中国科学院上海技术物理研究所研究员，室副主任，主任，副主任设计师
1998.11~2000.1，美国国家标准和技术研究院客座研究员
2004.10起任，传感技术联合国家重点实验室副主任
2006.8起任，红外成像材料与器件国防科技创新实验室副主任、组件技术研究室主任
2007.4~2008.8，中国科学院上海技术物理研究所所长助理
2008.8~2013.9，中国科学院上海技术物理研究所副所长
2013.9月起，任中科院上海技术物理研究所党委书记
研究领域
微电子学与固体电子学
主要成就
发表学术论文260余篇，申请和授权国家发明专利50多项。 荣获国务院“政府特殊津贴”[2]、国防科技工业协作配套先进个人、中国科学院研究生院优秀教师等荣誉8项。
截止2021年7月，在读博士生5人，在读硕士生2人。已毕业博士生36人，已毕业硕士生28人。
获奖及荣誉
2002年上海市科技进步一等奖;
| 龚海梅 |
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2002年国防科工委国防科技进步三等奖;
2003年上海市科技进步一等奖;
2005年国家自然科学二等奖;[3]
2007年上海市科技进步一等奖。
代表论文
（1） Effect of proton irradiation on extende wavelength In0.83Ga0.17As infrared detector, Infrared Physics & Technology, 2015, 通讯作者
（2） Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor, Infrared Physics & Technology, 2015, 通讯作者
（3） The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor, AIP Advance, 2015, 通讯作者
（4） Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors, Infrared Physics & Technology, 2015, 通讯作者
（5） Subwavelength Gold Grating as Polarizers Integrated with InP-Based InGaAs Sensors, ACS APPLIED MATERIALS&INTERFACES, 2015, 通讯作者
（6） Surface passivation of In0.83Ga0.17As photodiode with high-quality SiN layer fabricated by ICPCVD at the lower temperature, Infrared Physics & Technology, 2014, 通讯作者
（7） Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes, Infrared Physics & Technology, 2014, 通讯作者
（8） The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiN passivation films fabricated by two different techniques, Infrared Physics & Technology, 2014, 通讯作者
（9） Life signal detection using an on-chip split-ring based solid state microwave sensor, Applied Physics Letters, 2014, 通讯作者
（10） Extended wavelength InGaAs infrared detector arrays based on three types of material structures grown by MBE, Proc. SPIE, 2014, 第 1 作者
（11） 近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响, 激光与红外, 2010, 通讯作者
（12） 延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究, 激光与红外, 2010, 通讯作者
（13） 红外焦平面器件温度循环可靠性研究, 红外与激光工程, 2010, 第 2 作者
（14） 不同钝化层结构的长波碲镉汞光伏探测器的γ辐照效应, 红外与毫米波学报, 2010, 通讯作者
（15） Suppression of extension of the photo-sensitive area for a planar-type front-illuminated InGaAs detector by the LBIC technique, Journal of Semiconductors, 2010, 通讯作者 [3]
承担国家重大项目
主要从事航天红外探测器、紫外焦平面等新型探测组件及其抗辐射机理与可靠性技术方面研究。主持风云系列气象、海洋和环境等卫星及神舟三号飞船等多项国家重大型号工程项目航天遥感红外光电传感器的研制，同时承担国家973、中科院知识创新工程、国防科工委基础科研、总装预研、总装型谱等项目。主要研究方向为我国气象卫星系列等空间多光谱多元探测组件技术、先进红外焦平面可靠性封装和试验技术、新型探测组件技术等。
在风云一号、二号气象卫星、海洋卫星和神舟飞船等空间应用红外探测器的研制、碲镉汞红外焦平面、可靠性技术等方面的研究工作中，创造性提出了窄禁带半导体表面层复合理论，进而发展了一种表面钝化新工艺，在国内率先解决碲镉汞少子寿命面分布自动测试，并取得航天红外器件抗γ辐射加固技术研究的突破性进展，解决了多项碲镉汞理论、工艺原理及其应用等关键问题，明显提高器件性能及成品率，推进我国空间用碲镉汞红外探测器件研制水平上新台阶，为我国急需的长线列长波红外器件和航天用红外探测器作出了重要贡献。获国家自然科学和科技进步二等奖各1项、上海市科技进步一等奖3项、二等奖1项、中科院科技进步一等奖和国防科工委科技进步三等奖各1项，及国务院"政府特殊津贴"、国防科技工业协作配套先进个人、中国科学院研究生院优秀教师等荣誉奖8项，2004年入选国家首批新世纪百千万人才工程。发表学术论文百余篇，申请和获得国家专利30多项。