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| 龔海梅 |
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龔海梅，男，1965年10月出生，江蘇海門人，1986年畢業於中國科學技術大學物理系，1989和1993年在中國科學院上海技術物理研究所分獲理學碩士和博士學位，師從湯定元院士和方家熊院士，1998.11-2000.1美國國家標準和技術研究院客座研究員，從事大面積長波紅外探測器空間和角響應分布均勻性、紅外材料散射及其BRDF特性研究。現任中國科學院上海技術物理研究所黨委書記[1] 。
基本信息
人物說明----中國科學院上海技術物理研究所黨委書記
民 族 ---- 漢族
出生日期----1965年10月
出生地點----江蘇海門
國 籍 ---- 中國
職 業 ---- 科研工作者
主要成就----國家自然科學二等獎，上海市科技進步一等獎，國防科工委國防科技進步三等獎
畢業院校----中國科學技術大學
職 稱 ---- 研究員
個人簡歷
1993.4~1994.10,中國科學院上海技術物理研究所助研，課題組長，副主管設計師
1994.10~1997.9，中國科學院上海技術物理研究所副研究員，課題組長，主管設計師
1997年起任，中國科學院上海技術物理研究所研究員，室副主任，主任，副主任設計師
1998.11~2000.1，美國國家標準和技術研究院客座研究員
2004.10起任，傳感技術聯合國家重點實驗室副主任
2006.8起任，紅外成像材料與器件國防科技創新實驗室副主任、組件技術研究室主任
2007.4~2008.8，中國科學院上海技術物理研究所所長助理
2008.8~2013.9，中國科學院上海技術物理研究所副所長
2013.9月起，任中科院上海技術物理研究所黨委書記
研究領域
微電子學與固體電子學
主要成就
發表學術論文260餘篇，申請和授權國家發明專利50多項。 榮獲國務院「政府特殊津貼」[2]、國防科技工業協作配套先進個人、中國科學院研究生院優秀教師等榮譽8項。
截止2021年7月，在讀博士生5人，在讀碩士生2人。已畢業博士生36人，已畢業碩士生28人。
獲獎及榮譽
2002年上海市科技進步一等獎;
| 龔海梅 |
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2002年國防科工委國防科技進步三等獎;
2003年上海市科技進步一等獎;
2005年國家自然科學二等獎;[3]
2007年上海市科技進步一等獎。
代表論文
（1） Effect of proton irradiation on extende wavelength In0.83Ga0.17As infrared detector, Infrared Physics & Technology, 2015, 通訊作者
（2） Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor, Infrared Physics & Technology, 2015, 通訊作者
（3） The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor, AIP Advance, 2015, 通訊作者
（4） Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors, Infrared Physics & Technology, 2015, 通訊作者
（5） Subwavelength Gold Grating as Polarizers Integrated with InP-Based InGaAs Sensors, ACS APPLIED MATERIALS&INTERFACES, 2015, 通訊作者
（6） Surface passivation of In0.83Ga0.17As photodiode with high-quality SiN layer fabricated by ICPCVD at the lower temperature, Infrared Physics & Technology, 2014, 通訊作者
（7） Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes, Infrared Physics & Technology, 2014, 通訊作者
（8） The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiN passivation films fabricated by two different techniques, Infrared Physics & Technology, 2014, 通訊作者
（9） Life signal detection using an on-chip split-ring based solid state microwave sensor, Applied Physics Letters, 2014, 通訊作者
（10） Extended wavelength InGaAs infrared detector arrays based on three types of material structures grown by MBE, Proc. SPIE, 2014, 第 1 作者
（11） 近紅外InGaAs探測器台面結構對器件性能的影響, 激光與紅外, 2010, 通訊作者
（12） 延伸波長InGaAs紅外探測器的實時γ輻照研究, 激光與紅外, 2010, 通訊作者
（13） 紅外焦平面器件溫度循環可靠性研究, 紅外與激光工程, 2010, 第 2 作者
（14） 不同鈍化層結構的長波碲鎘汞光伏探測器的γ輻照效應, 紅外與毫米波學報, 2010, 通訊作者
（15） Suppression of extension of the photo-sensitive area for a planar-type front-illuminated InGaAs detector by the LBIC technique, Journal of Semiconductors, 2010, 通訊作者 [3]
承擔國家重大項目
主要從事航天紅外探測器、紫外焦平面等新型探測組件及其抗輻射機理與可靠性技術方面研究。主持風雲系列氣象、海洋和環境等衛星及神舟三號飛船等多項國家重大型號工程項目航天遙感紅外光電傳感器的研製，同時承擔國家973、中科院知識創新工程、國防科工委基礎科研、總裝預研、總裝型譜等項目。主要研究方向為我國氣象衛星系列等空間多光譜多元探測組件技術、先進紅外焦平面可靠性封裝和試驗技術、新型探測組件技術等。
在風雲一號、二號氣象衛星、海洋衛星和神舟飛船等空間應用紅外探測器的研製、碲鎘汞紅外焦平面、可靠性技術等方面的研究工作中，創造性提出了窄禁帶半導體表面層複合理論，進而發展了一種表面鈍化新工藝，在國內率先解決碲鎘汞少子壽命面分布自動測試，並取得航天紅外器件抗γ輻射加固技術研究的突破性進展，解決了多項碲鎘汞理論、工藝原理及其應用等關鍵問題，明顯提高器件性能及成品率，推進我國空間用碲鎘汞紅外探測器件研製水平上新台階，為我國急需的長線列長波紅外器件和航天用紅外探測器作出了重要貢獻。獲國家自然科學和科技進步二等獎各1項、上海市科技進步一等獎3項、二等獎1項、中科院科技進步一等獎和國防科工委科技進步三等獎各1項，及國務院"政府特殊津貼"、國防科技工業協作配套先進個人、中國科學院研究生院優秀教師等榮譽獎8項，2004年入選國家首批新世紀百千萬人才工程。發表學術論文百餘篇，申請和獲得國家專利30多項。