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CVD石墨烯制备商石墨烯CVD是一种用于化学、材料科学、能源科学技术、化学工程领域的分析仪器，兼容真空及常压两种主流的生长模式 G-CVD系统是一套完备的石墨烯制备系统，包括硬件和软件部分。工作在常压气氛或真空条件，通过控制，可以在10-3 Torr ~ 760 Torr之间的任意气压下进行石墨烯的生长。

技术要点

既可以生长出六边形的石墨烯单晶，也可以生长出花瓣状的石墨烯的单晶。

计算机自动控制，内置多种生长参数 整个石墨烯生长过程的重要参数由计算机进行精确控制，包括温度、气体流量等。控制软件内置多种生长优化参数，用户仅需将衬底放入样品腔，即可开始生长。

制备高质量石墨烯单晶，单晶尺寸可达数毫米 采用特殊优化的生长条件，可以得到尺寸达数毫米的单畴单晶。在多晶薄膜方面，可以制备得到数十厘米尺寸的单层石墨烯薄膜。

应用推广的价值和前景

生长13C同位素石墨烯，研究石墨烯生长动力学过程 G-CVD系统有13C同位素选项，交替生长不同同位素石墨烯， 用于研究石墨烯生长的动力学过程。美国知名cvd石墨烯制备商，已可大规模制备CVD石墨烯，目前只生产针对电子信息行业的高品质cvd石墨烯，目前可以在铜箔111晶面上生长，单层率大于95%，20*30cm尺寸月产量可达5000片，单片售价250美元左右。 我们的专利技术与方法使世界一流的石墨烯产品的设计成为可能，实现并优化了石墨烯转移的 铜基板的重复使用，从根本上杜绝了铜基板的浪费。这种行业领先的技术不仅降低了石墨烯生产成本，还提高了产量与质量。我们的工艺将在包括传感器，OLED，阻隔材料等的领域里带来行业 的革新。例如在传感器领域，我们生产出了一种仅有一个原子的厚度的应变传感器，这是目前世 界上最小，最灵敏的应变传感器。

公司核心技术最初是在加利福尼亚大学圣地亚哥分校纳米工程系开发完成的。我们研发该 技术的初衷是基于以下想法：如果单层的化学气相沉积法制备而成的石墨烯不能以低成本，高通 量和环保的方式进行大规模生产，那么世界范围内成千上万个关于石墨烯的产品理念将永远停留 在实验室中，无法惠及普通消费者。因此，我们公司的创始人决定着手于实现一种高通量，低成 本，环保的石墨烯生产工艺，以适用于生产具有不同规格的石墨烯材料。这种思想具体体现在我 们设计，产品，以及我们的专利组合中。 现在的我们能够给客户提供一流的石墨烯材料以及石墨烯生产服务。我们所有的产品都是在美 国设计和制造的。这些产品都是在 1000 级洁净室中生产的，并且全程由美国培训的纳米工程师监督，符合严格的科学标准，质量稳定，品质出众。