二氧化硅膜是一種化學物質。[1]
一種無定形玻璃狀結構的電解質膜,為近程有序網狀結構。禁帶寬度8.1ev。密度2.2g/cm3。介電係數3.9。折射率1.45~1.47。電阻率1013~1015Ω·m。熔點1700℃。採用在硅片上熱氧化、陽極氧化、化學氣相沉積法製備,是半導體硅器件的優良的表面保護膜和表面鈍化膜。