卓以和檢視原始碼討論檢視歷史

   美国电机工程学家。1960年毕业于美国伊利诺斯大学，1961年、1968年先后获该校硕士、博士学位。美国科学院院士（1985）、美国工程院院士（1985）、美国科学与艺术院院士（1989）。美国AT&T公司贝尔实验室半导体研究所所长、教授。

卓以和教授是國際公認的分子束外延、人工微結構材料生長和在新型器件研究領域的奠基人與開拓者。對Ⅲ－V族化合物半導體、金屬和絕緣體的異質外延和人工結構的量子阱、超晶格及調製摻雜微結構材料系統地開展了大量先驅性的研究工作。用研製的新材料，最先研究成功10多種極為重要的、性能優異的新型微波高速電子器件和光電子器件。現在又領導AT&TBell實驗室半導體研究所的合作者，開創性地研製成功量子阱級聯式新型激光器，被認為是半導體激光器發展中的又一個里程碑。 卓以和教授對我國發展分子束外延技術極為關切，給予了關鍵性指導；與我國同行建立了深厚友誼，對促進中美兩國學術交流，提高我國在國際學術界的地位和影響作出了重要貢獻。1996年6月7日當選為中國科學院外籍院士。