吳德馨檢視原始碼討論檢視歷史

女，半導體器件和集成電路專家。1936年12月20日生於河北樂亭。1961年畢業於清華大學無線電電子工程系。中國科學院微電子中心研究員。1991當選為中國科學院院士（學部委員）。

   60年初，作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。目前正在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。