導電薄膜檢視原始碼討論檢視歷史
導電薄膜有多種定義，有指「一種能導電的薄膜，能實現一些特定的電子功能」，還有指「鍵盤等輸入器件的『多層』薄膜，也有為單層的」。
製備技術
以下是透明導電薄膜的製備技術 ，這些技術也可以用於製備抗靜電薄膜、防鏽薄膜、熱收縮薄膜、易開封薄膜等等。
磁控濺射 磁控濺射是為了在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率的方法。 溶膠凝膠法 溶膠凝膠法就是用含高化學活性組分的化合物作前驅體，在液相下將這些原料均勻混合，並進行水解、縮合化學反應，在溶液中形成穩定的透明溶膠體系，溶膠經陳化膠粒間緩慢聚合，形成三維空間網絡結構的凝膠，凝膠網絡間充滿了失去流動性的溶劑，形成凝膠。凝膠經過乾燥、燒結固化製備出分子乃至納米亞結構的材料。[1]
脈衝激光沉積 脈衝激光沉積（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被稱為脈衝激光燒蝕（pulsed laser ablation，PLA），是一種利用激光對物體進行轟擊，然後將轟擊出來的物質沉澱在不同的襯底上，得到沉澱或者薄膜的一種手段。
真空蒸鍍 在真空環境中，將材料加熱並鍍到基片上稱為真空蒸鍍，或叫真空鍍膜。
化學氣相沉積 化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)是反應物質在氣態條件下發生化學反應，生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面，進而製得固體材料的工藝技術。它本質上屬於原子範疇的氣態傳質過程。與之相對的是物理氣相沉積（PVD）。
分類
半導電薄膜 半導電薄膜只有半絕緣多晶硅薄膜。半導體薄膜主要有外延生長的Si單晶薄膜和CVD生長的摻雜多晶硅薄膜、半絕緣多晶硅薄膜。絕緣體薄膜主要有氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等。金屬薄膜主要有Al、Au、NiCr等的薄膜。工藝中用到的薄膜技術光刻膠薄膜。
與薄膜鍵盤 製作電路的基材應採用聚酯（聚鄰苯二甲酸乙二醇酯）薄膜（Potyester簡稱PET）。它具有良好的絕緣性和耐熱性，具有較高的機械強度、透明性和氣密性，特別具有抗折性和高彈性，是製作薄膜鍵盤電路的理想材料。 [2]
材料
種類 薄膜鍵盤、面板的材質，除要求具有平整性和印刷適應性外，更主要的是要具有可撓性和高彈性的特點。 聚氯乙烯PVC常溫下對酸、鹼和鹽類穩定。耐磨性好，耐燃自熄，消聲消震，電絕緣性好。熱穩定性較差。低廉普通標牌、面板聚碳酸酯PC光面透光率高，吸水性低，尺寸穩定性好，抗彎、抗拉、抗壓強度十分優越，耐熱性耐寒性、電絕緣性和耐大氣老化性優良。耐藥品性較差，耐疲勞性較差，易產生應力開裂，輸出接口端子電路一般是碳性材質印刷製成，並且沒有保護塗層，受空氣氧化逐漸形成脫落層，到最後導致斷路而壽命終止，這是薄膜鍵盤最容易出故障的地方，主要有環境所決定，不管使用與否，物理損壞時間是3-10年。一般適用範圍最為廣泛，除可滿足大多數薄膜鍵盤面板的要求外，其中光面PC的高透光率更可滿足帶液晶顯
示窗的要求。 聚酯光面耐藥品性良好，不溶於一般有機溶劑，不耐鹼。具有優良的機械性能、電性能、剛性、硬度和熱塑性塑料中最大的強韌性，吸水性低，耐磨損、耐摩擦性優良，尺寸穩定性高。拉伸強度能與鋁膜媲美，大大高於PC、PVC。低廉因表面難以加工成亞光型，故有紋理PET較貴 是製作薄膜鍵盤電路最理想的基材。其中有紋理PET適合對表面要求較高或具有液晶顯示窗的產品。
厚度 塑料基材厚度在0.25mm及以下稱為薄膜，主要用作薄膜鍵盤的面板層，其背面印有各種指示性的圖案、文字來表示相應開關鍵位的操作區域，在厚度選擇上應視面板及按鍵的大小而定，材料厚，觸動力加大，反應遲鈍；材料過薄，觸動時手感差，回彈不明顯。厚度在0.25mm以上稱為板材，不適合立體鍵成型，可用作無按鍵操作區域的指示性的標牌面板，也可作為薄膜鍵盤的襯板以提高其硬度。