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屠海令
中國工程院院士
出生 1946年10月
北京市
國籍 中國
職業 教授,博士生導師

屠海令,男,漢族,1946年10月生,北京市人,1970年8月參加工作,1974年8月加入中國共產黨英國巴斯大學半導體材料物理專業畢業,研究生學歷,博士學位,教授級高級工程師博士生導師中國工程院院士[1],半導體材料專家[2]

簡歷

1964年09月至1969年08月,天津大學精儀系自動化專業學習;

1970年08月至1971年08月,天津第三半導體器件廠試製組技術員;

1971年08月至1978年09月,天津半導體技術研究所組長、室主任;

1978年09月至1979年12月,北京有色金屬研究總院半導體材料專業攻讀研究生;

1979年12月至1983年12月,英國巴斯大學半導體材料物理專業攻讀博士學位;

1984年03月至1996年07月,北京有色金屬研究總院組長、室主任、副院長(其間:1994年11月至1995年8月美國北卡羅萊納州立大學半導體材料專業高級訪問學者);

1996年07月至2009年04月,北京有色金屬研究總院院長;

1999年02月至2009年05月,有研半導體材料股份有限公司董事長;

2006年04月起擔任北京有色金屬研究總院科技委員會主任;

2007年12月當選中國工程院院士;

2009年05月至今擔任北京有色金屬研究總院名譽院長;

2010年06月至今擔任中國工程院化工、冶金與材料工程學部副主任。

2014年4月中國煤炭科工集團有限公司外部董事,聘期二年(2014年1月至2015年12月)。

職位

是中國電子材料行業協會副理事長,中國有色金屬學會副理事長、中國材料研究學會副理事長、中國稀土學會副理事長、SEMI中國標準化材料委員會主任等。

中共十五、十六大代表,第十一屆全國人大代表,十一屆全國人大財經委員會委員,第十二屆、十三屆北京市人大代表。

學術成果

長期從事硅、化合物半導體及稀土半導體材料研究。研究領域包括半導體單晶生長中的傳質、傳熱過程,硅外延生長動力學,半導體材料表面物理化學,砷化鎵晶體生長新技術,三元系化合物半導體晶格動力學,稀土半導體材料結構相變,硅基半導體材料的製備技術,半導體材料中缺陷與雜質互作用及缺陷工程,半導體材料檢測技術等。獲國家級、部級科技進步獎十餘項,發表論文百餘篇,出版著作五部。

榮譽

1985年獲有突出貢獻回國留學人員表彰獎

國家高技術材料專家委員會個人表彰獎

國家攻關先進個人獎等

1993年獲政府特殊津貼

1996年獲國家有突出貢獻中青年專家稱號

2001年獲全國五一勞動獎章[3]

2004年榮獲何梁何利基金科學與技術進步獎

參考來源

  1. 屠海令 ,中國工程院
  2. 院士簡介:屠海令 ,中國金屬協會, 2017-06-27
  3. 屠海令 ,中國有色金屬工業協會