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張清純
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研究方向
半導體物理與器件
寬帶半導體器件物理、工藝、測試、產業化及應用
器件模擬及仿真
電力系統
教育工作經歷
2019.10-至今，復旦大學，工程與應用技術研究院，特聘教授
2019.04-2019.08，Alpha&Omega Semiconductors，技術部，資深主任工程師
2018.04-2019.04，北卡州立大學，電子和計算機系，客座教授
2017.10-2019.04，電力美國技術研究院，電力半導體器件部，主任
2005.02-2017.10，Cree, Inc，研發部，高級科學家
2001.10-2005.02，Rockwell Scientific Company，研發部，研究員
1997.09-2001.04，University of South Carolina，電子工程，博士
1994.09-1997.08，清華大學，電力電子技術，碩士
1987.09-1992.08，清華大學，微電子學，學士
代表性論文和著作
J. Wang, V. Veliadis, J. Zhang, Y. Alsmadi, P. Wilson, and M. Scott, 「A roadmap for Silicon Carbide adoption in power conversion applications」, IEEE Power Electronics Magazine, Vol. 5, No. 2, June 2018.
V. Veliadis, R. Kaplar, J. Zhang, M. Bakowski, S. Khalil, and P. moens, 「WBG and UWBG materials and devices are examed in a new working group」, IEEE Power Electronics Magazine, Vol. 5, No. 2, June 2018.
H. O』Briean, A. Ogunniyi, J. Zhang, and B. Hull, 「SiC MOSFETs designed and evaluated for linear mode operation」, 2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA).
P. A. Ivanov, V. S. Yuferev, M. E. Levinshtein, J. Q. Zhang, J. W. Palmour, 'Collector Conductivity Modulation in 1200-V 4H-SiC BJTs', Materials Science Forum, Vol. 897, pp. 563-566, 2017.