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| 擴散爐 |
擴散爐是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用於大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。
簡介
懸臂槳系統結構比較簡單，SiC槳攜帶舟和硅片進入石英爐管後，就停留在石英爐管內，直到工藝程序結束，SiC槳就攜帶舟和硅片慢慢回到原位，懸臂槳系統缺點是槳對爐管溫度的均勻性有一定的影響，另外，工藝氣體也會對槳沉積，影響顆粒。軟着陸系統較懸臂槳系統更加先進，SiC槳進入石英工藝爐管後，槳自動下沉放下石英舟和硅片，然後慢慢運行回原點，最後石英爐管的門自動關閉。軟着陸系統優點是沒有SiC槳對腔體的影響，使得溫度均勻性更好，減少了工藝氣體在SiC槳上的沉積，從而顆粒更少。推舟淨化櫃的頂部裝有照明燈；正面是水平層流的高效過濾器及四層推舟的絲槓、導軌副傳動系統及SiC懸臂槳座，絲槓的右端安裝有驅動步進電機，導軌的兩端是限位開關。柜子的下部裝有控制電路轉接板及淨化用風機。爐體加熱系統爐體加熱系統共有六層。頂層配置有水冷散熱器及排熱風扇，每層加熱爐體間也配置一層水冷系統，隔絕每層爐管的溫度相互影響，廢氣室頂部設有抽風口，與外接負壓抽風管道連接後， 可將工藝過程殘 余的廢氣帶走,中間部分分四層放置四個加熱爐體， 每層由四個坡面支架托起並固定住加熱爐體，其位置在安裝時已經與推拉舟系統——絲槓、導軌副傳動系統及SiC懸臂槳系統或軟着落系統等對準中心。氣體控制系統氣源櫃分為五層。頂部設置有排毒口， 用以排除在換源 過程中泄漏的有害氣體。 櫃頂設置有三路工藝氣體及一路壓縮空氣的進氣接口， 接口以下安裝有減壓閥、截止閥， 用以對進氣壓力進行控制及調節。對應於氣路，各層分別裝有相應的電磁閥、 氣動閥、過濾器、單向閥、質量流量控制器、 及DCE源瓶和冷阱等。柜子的底部裝有質量流量（MFC）控制器電源、控制開關、保險等電路轉接板以及設備總電源進線轉接板。
評價
所謂「快速(Rapid )」一詞首次出現在1968年Mammels的專利文件「工件熱處理的方法(Method of Heat Treatment of Workpieces )」中[65]，後來有多種術語如等溫退火(Isothermal Annealing )，熱脈衝退火(Heat Pulse Annealing)等，現在快速熱退火(Rapid Thermal Annealing)和快速熱處理(Rapid ThermalProcessing)具有同樣的內涵。實際上，RTP是半導體製造業中最複雜部分之一，它包含相關知識有:量子力學，固體物理，光學，工程學。然而，RTP系統的基本原理非常簡單。過去人們對RTP系統接受很慢，主要是因為注入退火和熱處理需要優良的溫控制系統和測溫系統，而且，它只是單片處理。但是，現在隨着超亞微米器件的發展，使人們重新認識到RTP系統在半導體製造(特別是微電子行業)中的重要作用。 RTP系統剛出現時，通常採用激光連續光源，但出於對輻射光譜的作用和操作方便的考慮，RTP系統朝着基於非連續光源的方向發展，然而在RTP發展歷史上，這一設想沒有得到市場的認可，這部分導致RTP系統發展的停滯和科學合理的發展。因此，過去RTP系統沒有吸引大公司去研發解決關鍵的技術難題。然而傳統的批量爐被證實是可靠、低成本的一技術，所以RTP系統的推廣應用一直受到限制。現在，RTP在微電子器件生產中得到了一定的應用。許多人在設計燈的結構和加熱燈的布置、控制均勻性上作了大量的研究[60, 66-b8J。但是基於鹵素燈加熱的RTP系統在製造環境中仍有好多問題。[1]