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朱長飛

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朱長飛，男，教授，博士生導師，中國科學技術大學副校長。1962年6月生於安徽省廬江縣泥河鎮，1979至1990年在中國科學技術大學學習，獲凝聚態物理博士學位，1991留校工作，先後多次去香港理工大學做訪問學者。

基本信息

人物說明----中國科學技術大學黨委常委、副校長

外文名 ---- Zhu Changfei

出生日期----1962年6月

出生地點---- 安徽省廬江縣

國 籍 ---- 中國

職 業---- 教育科研工作者

畢業院校----中國科學技術大學

人物簡介

朱長飛（Zhu Changfei），男，漢族，教授，博士生導師，中國科學技術大學副校長。

1962年6月生於安徽省廬江縣泥河鎮，1979至1990年在中國科學技術大學學習，獲凝聚態物理博士學位，1991留校工作，先後多次去香港理工大學做訪問學者。2000年起任中國科學技術大學教授，2004任材料科學與工程系執行主任，2005任科學技術處常務副處長，2006任科學技術處處長，2008年11月任中國科學技術大學校長助理。2010年4月起任中國科學技術大學副校長。

長期從事材料物理教學和過渡金屬氧化物、寬帶隙半導體與新概念太陽能電池研究工作。在國際學術期刊上發表論文80餘篇。

工作履歷

1979年考入中國科學技術大學物理系。

1984年在中國科學技術大學物理系獲得理學學士。

1987年在中國科學技術大學物理系獲得理學碩士。

1991年在中國科學技術大學物理系獲得理學博士。

1999年和2004年先後兩次赴香港理工大學電子與工程系做高級訪問學者，歷時近三年。

2000年任材料科學與工程系教授至今。

研究方向

1． 新型過渡金屬氧化物功能材料的製備、物性研究及其在信息和能源領域的應用。

2． 寬帶隙特種半導體（GaN，SiC，ZnO…..）薄膜與器件研究。

3． 新型太陽能電池材料研究。

代表論著

1. Su JR, Zhu CF ,Raman scattering in the intermetallic compounds Sm1-xGdxAl2 (x=0, 0.01 and 0.02), MATER RES BULL 38 (15): 2025-2029 DEC 10 2003

2. Temperature-dependent ultrasonic study on parity-violating phase transitions of D- and L-alanine single crystals, W. Q. Wang, W. Min, C. F. Zhu and F. Yi, Phys. Chem. Chem. Phys 5., 4000-4003(2003).

3. A way to obtain visible blue light emission in porous silicon, Q. W. Chen, D.L.Zhu, C. Zhu, J. Wang and Y. G. Zhang, Appl. Phys. Lett. 82, 1018-1020(2003)

4. Characterizations of GaN films grown with indium surfactant by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy, W.K. Fong, C.F. Zhu, B.H. Leung, C. Surya, b. Sundaravel, E.Z. Luo, J.B. Xu, I. H. Wilson, Microelectronics Reliability 42, 1179-1184(2002)

5. Charge transport and ultrasonic properties in La0.57Ca0.43MnO3 perovskite, Zheng RK, Zhu CF, Xie JQ, Huang RX, Li XG, MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS ,75 (1-3): 121-124 Sp. Iss. SI APR 28 (2002)

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6. Study of Low-Frequency Noise in Ga-Polarity GaN Epitaxial Layers, J. Q. Xie, W. K. Fong, B. H. Leung, C. F. Zhu and C. Surya, K. H. Wong, Fluctuation and Noise Letters, 1:(4)R163-R174(2001).

7. Low-frequency noise in GaN thin films deposited by rf-plasma assisted molecular-beam epitaxy, Leung BH, Fong WK, Zhu CF, and Surya C., J APPL PHYS 91 (6): 3706-3710 MAR 15 (2002).

8. Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers, Leung BH, Chan NH, Fong WK, Zhu CF, Ng SW, Lui HF, Tong KY, Surya C, Lu LW, Ge WK, IEEE T ELECTRON DEV 49 (2): 314-318 FEB (2002).

9. Study of GaN thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy, L.W. Lu, W.K. Fong, C.F. Zhu, Leung BH, Surya C, Wang J, Ge WK, J CRYST GROWTH 234(1): 99-104 JAN (2002).

10. Study of low-frequency excess noise in GaN thin films deposited by RF-MBE on intermadiate-temperature buffer layers, B.H. Leung, W.K. Fong, C.F. Zhu, C. Surya, IEEE Transactions on Electron Devices 48: (10), 2400-2404(2001).

11. Structural change and charge ordering correlated ultrasonic anomalies in La1-xCaxMnO3 (x=0.5,0.83) perovskite, R. K. Zheng, C. F. Zhu, J. Q. Xie and X. G. Li, Physical Review B, 63 (2): art. no. 024427 JAN 1 2001.

12. Characterization of high quality MBE-grown GaN films on intermediate-temperature buffer layers, C. F. Zhu, W. K. Fong, B. H. Leung, and C. Surya, Appl. Phys. A72, 495-497(2001).

13. Effects of rapid thermal annealing on the structural propertied of GaN thin films, C. F. Zhu, W. K. Fong, B. H. Leung, C. C. Cheng, and C.surya, IEEE Transactions on Electron Devices 48: (6), 1225-1230(2001).

14. Study of low-frequency excess noise in RTA annealed n-type gallium nitride，Zhu, C.F.; Fong, W.K.; Leung, B.H.; Cheng, C.C.; Surya, C.; Proceedings of the IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, 24-29 (2000)

15. Study of the effects of rapid thermal annealing in generation-recombination noise in MBE grown GaN thin films, C. Surya, C. F. Zhu, B. H. Leung, W. K. Fong, C. C. Cheng, J. K. O. Sin, Microelectronics Reliability, 40, 1905-1909(2000).

16. Ultrasonic anomalies in La0.67Ca0.33Mn03 near the Curie temperature, Changfei Zhu, Renkui Zheng, Jinrui Su, Jiang He, Applied Physics Letters, Vol.74:(23), 3504-3506(1999).

17. Ultrasonic evidence for magnetoclastic coupling in La0.60Y0.07Ca0.33MnO3 perovskites, Changfei Zhu, Renkui Zheng , Physical Review B, Vol.59:(17), 11169-11171(1999)

18. Ultrasonic study on charge ordering, magnetic, and structural changes in La0.25Ca0.75Mn0.93Cr0.07O3, X.G.Li, H.Chen, C.F.Zhu, H.D.Zhou, R.K.Zheng and J.H.Zhang, Applied Physics Letters 76(9), 1173-1175(2000).

19. Ultrasonic behaviors near different phase transitions in La1-xCaxMnO3, Changfei Zhu, Renkui Zheng, Jinrui Su and Wenhai Shong, Journal of Physics: Condense Matter 12:(6), 823-828(2000).

20. Ultrasonic anomalies in La0.67Ca0.33Mn1-xZnxO3 Perovskites, Changfei Zhu, and Renkui Zheng, J. Phys. Condens. Matter 11:(43), 8505-8510(1999)

21. Studies of Ultrasonic Properties of Triglycine Sulfate(TGS) Single Crystal, J. R. Su, C. F. Zhu, M. Wang, and Z. G. Zhu, Materials Research Bulletin 34:(12-13), 1885-1890(1999).

22. Experimental Evidence for the Unusual Damping Parameter in L-Arginine Phosphate Monohydrate Single Crystal, J. R. Su, C. F. Zhu, Z. G. Zhu, D. Xu, D. R. Yuan, Materials Research Bulletin, 35: (6), 977-983(2000).

23. Elastic-moduli and ultrasonic attenuation anomalies near antiferromagnetic phase transitions in La1-xCaxMnO3, Changfei Zhu, Renkui Zheng, Journal of Applied Physics 87:(7), 3579-3581(2000).

出席活動

2016年3月28日上午，中科大先研院—合肥市包河區戰略合作簽約暨包河區融媒體中心成立儀式在包河區舉行。中國科學技術大學副校長朱長飛，安徽新媒體集團總經理章理中，省互聯網宣傳管理辦公室主任范榮暉，省新聞出版廣電局副局長朱訓義，市委常委、宣傳部部長鍾俊傑及省直相關單位負責人出席儀式。