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| 王軍喜 |
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1998年獲得西北大學物理學學士學位，2003年獲得中國科學院半導體研究所工學博士學位 [2]
基本信息
人物說明----教授，博士生導師
國 籍 ---- 中國
職 業 ---- 中國科學院博士生導師
畢業院校----西北大學
個人簡歷
王軍喜 ，男，博士，研究員，博士生導師。
1998年獲得西北大學物理學學士學位，2003年獲得中國科學院半導體研究所工學博士學位，自2003年至今在中國科學院半導體研究所工作。
從事氮化物材料生長和器件研製工作八年，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長設備和相關材料分析表徵方法。
使用國產NH3-MBE生長設備，獲得了具有當時國際水平的高遷移率GaN外延片;做為骨幹科研人員，所在小組研製成功了壓電極化效應誘導的高質量AlGaN/GaN二維電子氣結構材料，並用所研製的材料與信息產業部第十三研究所合作研製出了我國第一隻氮化物高溫HEMT器件;
負責自主設計並製備了一台HVPE厚膜GaN材料生長設備，獲得了厚膜GaN材料生長速率超過了每小時200μm，晶體質量位於國內領先水平;在"十一五"期間，負責氮化物MOCVD材料生長研究，主要方向為GaN基LED材料生長研究和紫外LED材料生長研究。
目前負責的課題進展順利。多次參加國內外學術會議，在國內外高質量學術期刊上發表研究論文四十餘篇。
目前主要研究方向為:氮化物材料的MOCVD生長研究、深紫外LED用氮化物材料生長研究及LED器件製備。