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記憶體（Random Access Memory，簡稱 RAM）是電腦暫時儲存資料的地方，它介於 CPU 快取（cache）與硬碟之間，一般來說記憶體越大，則電腦能夠同時處理的工作就越多，就好像有越大張的桌子，上面可以擺放的工具越多，處理事情會越有效率。
DDR（Double Data Rate）是記憶體的傳輸標準，意指每一個時脈週期（clock cycle）有兩個傳輸，此一系列的標準從 DDR、DDR2、DDR3 演進到 DDR4，比較新的記憶體與主機板會使用比較新的標準，不同標準彼此不相容（記憶體腳位完全不同），如果主機板支援的記憶體標準是 DDR3，就不能插 DDR2 或 DDR4 的記憶體，反之亦然。
記憶體時脈與速度
記憶體有兩種速度標示方式，一種是 DDR 開頭的標示法，例如 DDR3-1600，另外一種則是 PC 開頭的標示法，例如 PC3-12800，在 DDR 或 PC 後面的一個數字是代表記憶體的世代，PC2 等同於 DDR2、PC3 等同於 DDR3、PC4 等同於 DDR4。
在 DDR 開頭標示法的連字線後方的數字是代表每秒的傳輸次數（megatransfers），單位是 MT/s，這個值大家也時常視為記憶體的時脈（clock rate），單位是 MHz，例如 DDR3-1600 的時脈就是 1600 MHz，也就是每秒傳輸 1600 M 次。
延遲時間（CAS latency，亦稱 CL 值）是指電腦要讀取記憶體的資料時，需要等待多久之後才能真正開始讀取。有些記憶體會標示它的延遲時間，其內容是一連串的數字，例如 9-10-9-27，第一個數字就是記憶體的延遲時間，單位是時脈週期。
以 533 MHz 的 DDR3 記憶體來說，時脈週期就是 1/533000000 秒，即 1.87 ns，如果它的 CL 值是 7 個時脈週期的話，換算出來就是 1.87 * 7 = 13.09 ns。 而 PC 開頭標示法的連字線後方的數字則是代表傳輸速度的理論值，單位是 MB/s，例如 PC3-12800 的速度就是 12800 MB/s。 ECC（Error Correcting Code）是資料錯誤偵測與校正功能，具有 ECC 功能的記憶體通常都是用於專業的伺服器，或是高階的重要資料設備，確保資料的正確性與完整性，一般普通個人電腦的主機板也沒有支援 ECC 的記憶體，所以如果要購買普通個人電腦要用的記憶體，在購買時就可以直接跳過 ECC 的記憶體，選擇一般的記憶體就好了。[1]
構成
這是一種形式的計算機存儲器可被讀取和以任何順序發生變化，通常用於存儲工作數據和機器代碼。隨機存取存儲器設備允許數據項被讀出或寫入在幾乎相同的時間量，而不管存儲器內數據的物理位置的。相反，對於其他直接訪問數據存儲介質，例如硬盤，CD-RW，DVD-RW和較舊的磁帶和磁鼓存儲器一樣，由於機械限制（例如介質旋轉速度和手臂移動），讀寫數據項所需的時間根據其在記錄介質上的物理位置而有很大不同。
RAM包含多路復用和多路分解電路，用於將數據線連接到尋址的存儲器以讀取或寫入條目。通常，同一地址訪問的存儲空間不止一位，而RAM設備通常具有多條數據線，並且被稱為「 8位」或「 16位」等設備。
在當今的技術中，隨機存取存儲器採用具有MOS（金屬氧化物半導體）存儲單元的集成電路（IC）芯片的形式。RAM通常與易失性類型的內存（例如動態隨機存取存儲器（DRAM）模塊）相關聯，儘管已經開發了非易失性RAM，但如果斷電，則會丟失存儲的信息。存在其他類型的非易失性存儲器，它們允許對讀取操作進行隨機訪問，但要麼不允許寫入操作，要麼對其具有其他種類的限制。其中包括大多數類型的ROM和一種閃存稱為NOR-Flash。
易失性隨機存取半導體存儲器的兩種主要類型是靜態隨機存取存儲器（SRAM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）。半導體RAM的商業用途可以追溯到1965年，當時IBM為他們的System / 360 Model 95計算機引入了SP95 SRAM芯片，而東芝則為其Toscal BC-1411 電子計算器使用了DRAM存儲單元，兩者均基於雙極晶體管。基於MOS晶體管的商用MOS存儲器是在1960年代後期開發的，此後一直是所有商用半導體存儲器的基礎。1970年10月推出了第一款商用DRAM IC芯片Intel 1103。同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）隨後於1992年與三星 KM48SL2000芯片一起首次亮相。
歷史
早期的計算機將繼電器，機械計數器或延遲線用於主要存儲功能。超聲波延遲線是串行設備，只能按寫入順序再現數據。可以以相對較低的成本擴展感光鼓存儲器，但是有效地檢索存儲項需要了解感光鼓的物理佈局以優化速度。閂鎖由真空管 三極管構成，後來由分立晶體管構成用作較小和較快的存儲器，例如寄存器。這樣的寄存器相對較大，並且用於大量數據的成本太高。通常只能提供幾十個或幾百個這樣的存儲器。
隨機存取存儲器的第一種實用形式是1947年開始的威廉姆斯管。它在陰極射線管表面以帶電斑點的形式存儲數據。由於CRT的電子束可以按任何順序讀取和寫入電子管上的斑點，因此內存是隨機訪問的。威廉姆斯管的容量為幾百到一千位左右，但比使用單個真空管閂鎖要小得多，更快並且能效更高。威廉姆斯管是在英格蘭曼徹斯特大學開發的，它提供了在曼徹斯特嬰兒計算機中實現第一個電子存儲程序的媒介，該計算機於1948年6月21日成功運行了一個程序。實際上，Baby並不是為嬰兒設計的Williams管式記憶體，而是一個證明記憶體可靠性的試驗台。
磁芯內存發明於1947年，一直發展到1970年代中期。它依賴於一系列磁化環而成為一種廣泛使用的隨機存取存儲器。通過改變每個環的磁化強度，可以將數據存儲為每個環一位。由於每個環都有地址線的組合來進行選擇和讀取或寫入，因此可以按任何順序訪問任何存儲位置。磁芯存儲器是標準形式的計算機存儲器系統，直到由移動固態 MOS（金屬-氧化物-矽）半導體存儲器在集成電路（IC）的70年代初。
在開發集成只讀存儲器（ROM）電路之前，經常使用由地址解碼器驅動的二極管矩陣或專門纏繞的核心繩存儲平面來構造永久（或只讀）隨機存取存儲器。[ 需要引用 ]
半導體存儲器始於1960年代的雙極型存儲器，它使用了雙極型晶體管。雖然它提高了性能，但無法與較低價格的磁芯存儲器競爭。
MOS內存
所述的本發明，MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管），也被稱為MOS晶體管，由穆罕默德M. Atalla和達沃·卡在貝爾實驗室，1959年導致的發展金屬氧化物半導體（MOS）由John施密特存儲器在仙童半導體公司在1964年除了更高的性能，MOS 半導體存儲器是便宜和消耗比磁芯存儲器更少的功率。費德里科·法金（Federico Faggin）開發的矽柵 MOS集成電路（MOS IC）技術1968年在仙童半導體公司（Fairchild）實現了MOS 存儲器芯片的生產。在1970年代初期，MOS存儲器已取代磁芯存儲器成為主導的存儲器技術。
1963年，Fairchild Semiconductor的Robert H. Norman發明了集成的雙極靜態隨機存取存儲器（SRAM）。1964年，Fairchild的John Schmidt發明了MOS SRAM。SRAM成為了一種替代磁芯內存，但需要6個MOS晶體管的每個比特的數據。SRAM的商業使用始於1965年，當時IBM為System / 360 Model 95推出了SP95存儲芯片。
動態隨機存取存儲器（DRAM）允許為每個存儲位用單個晶體管替換4或6晶體管鎖存電路，從而大大增加了存儲密度，但又增加了波動性。數據存儲在每個晶體管的微小電容中，必須每隔幾毫秒定期刷新一次，然後電荷才能洩漏出去。東芝於1965年推出的Toscal BC-1411 電子計算器，使用了一種電容性雙極DRAM形式，將180位數據存儲在由鍺雙極晶體管和電容器組成的離散存儲單元中。儘管雙極DRAM提供了比磁芯內存更高的性能，但它無法與當時占主導地位的磁芯內存的較低價格競爭。
MOS技術是現代DRAM的基礎。1966年，博士羅伯特·丹納德在IBM Thomas J. Watson研究中心正在對MOS內存。在檢查MOS技術的特性時，他發現它可以構建電容器，並且在MOS電容器上存儲電荷或不存儲電荷可以表示1和0，而MOS晶體管可以控制將電荷寫入到MOS。電容器。這導致他開發了單晶體管DRAM存儲單元。1967年，丹納德（Dennard）向IBM申請了一項基於MOS技術的單晶體管DRAM存儲單元的專利。第一個商用DRAM IC芯片是Intel 1103，它是它是在8 µm MOS工藝上製造的，容量為1 Kibit，並於1970年發布。
同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）由Samsung Electronics開發。第一個商用SDRAM芯片是三星KM48SL2000，其容量為16 Mibit。它由三星於1992年推出，並於1993年投入批量生產。第一個商用DDR SDRAM（雙倍數據速率 SDRAM）存儲芯片是1998年6月發布的三星64 Mibit DDR SDRAM芯片。GDDR（圖形DDR）是DDR SGRAM（同步圖形RAM）的一種形式，它於1998年由三星作為16 Mibit存儲芯片首次發布。