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陳星弼
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陳星弼（1931年1月28日-2019年12月4日），出生於上海，原籍浙江浦江，半導體器件及微電子學專家，中國科學院院士，電子科技大學教授、博士生導師。陳星弼從事半導體電力電子器件的理論與結構創新方面的研究，被譽為「中國功率器件領路人」。

1952年畢業於同濟大學電機系，後在廈門大學、南京工學院及中國科學院物理研究所工作。1956年開始在成都電訊工程學院工作。1980年美國俄亥俄州大學作訪問學者。1981年加州大學伯克萊分校作訪問學者、研究工程師。1983年任電子科技大學微電子科學與工程系系主任、微電子研究所所長。1999年當選為中國科學院院士。2001年加入九三學社。

2019年12月4日，陳星弼在四川成都逝世，享年89歲。

社會任職

他是中國電子學會會士，美國IEEE高級會員，中國國家自然科學基金評審員，半導體學報編委，中國電子學會半導體與集成技術委員會委員，中國電子學會四川省分會理事兼半導體與集成技術分會主任委員，曾連續擔任國際SSICT程序委員及分會主席及一屆中德友好電子周分會主席。

人物評價

陳星弼教授是中國電子學會會士、美國IEEE高級會員。多次出訪國外進行科技學術交流。他熱愛祖國、忠誠黨的教育事與科學事業。學識淵搏、治學嚴謹、工作刻苦。有堅實的基礎理論，能及時抓住新方向，很快深入，既能發現問題又能解決問題。

科研成就

科研綜述

五十年代末，對漂移晶體管的存貯時間問題在國際上最早作了系統的理論分析。提出新的電荷法基本方程、不均勻介質中鏡象電荷方程等。八十年代以來，從事半導體電力電子器件的理論與結構創新方面的研究。從理論上解決了提高p-n結耐壓的平面及非平面工藝的終端技術問題，作出了一些迄今唯一的理論分析解。在解決MOS功率管中降低導通電阻與提高耐壓之間的矛盾問題上作出了系列重要貢獻。發明了耐壓層的三種新結構，提高了功率器件的綜合性能優值，其中橫向耐壓層新結構在製備工藝上與常規CMOS和BiCMOS工藝兼容，有利於發展耐高壓的功率集成電路。

科研成果

陳星弼在新型功率（電力電子）器件及其集成電路這一極其重要領域中，做出了一系列重要的貢獻與成就。他率先在中國提出立項並作為第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有關技術。他對垂直型功率器件耐壓層及橫向型功率器件的表面耐壓區唯一地作出了優化設計理論且得到實際應用。對功率器件的另一關鍵技術——結終端技術——作出了系統的理論分析及最優化設計方法並應用在各種電力電子器件的設計中取得良好的效果。他還提出了斜坡場板這一新結構的理論。他的三項重要發明能使電力電子器件在一個新的台階上發展。這些發明打破了傳統極限理論的約束，使器件的電學性能得到根本性的改進。第一種第二種發明突破了高速功率MOS高壓下導通電阻極限理論，得到新的極限關係。第一種發明被Siemens公司實現，98年在國際電子器件會議（舊金山）發表。第二種發明及第三種發明已在國內實驗成功。根據第三種發明來製造高壓（功率）集成電路中的橫向器件，可以在工藝上和常規的CMOS及BiCMOS工藝兼容，使這種電路不僅性能優越，而且成本節省，可立足國內，並正在走向產品開發，獲得國家發明獎及國家科技進步獎二項，省部級獎十三項。